第6章掺杂技术分析.pptVIP

（5）扫描器 离子束是一条直径约1～3的线状高速离子流，必须通过 扫描覆盖整个注入区。扫描方式有：固定wafer，移动离子 束；固定离子束，移动wafer。离子注入机的扫描系统有电 子扫描、机械扫描、混合扫描以及平行扫描系统，目前最常 用的是静电扫描系统。 静电扫描系统由两组平行的静电偏转板组成，一组完成 横向偏转，另一组完成纵向偏转。在平行电极板上施加电场，正离子就会向电压较低的电极板一侧偏转，改变 电压大小就可以改变离子束的偏转角度。静电扫描系统使离 子流每秒钟横向移动15000多次，纵向移动移动1200次。 静电扫描过 程中，wafer固 定不动，大大降 低了污染几率， 而且由于带负电 的电子和中性离子不会发生同样的偏转，这样就可以避免被 掺入到wafer当中。 * * 一、扩散 二、离子注入 第6章 掺杂技术 掺杂就是使杂质进入wafer内部，并在wafer中的某区 域以一定浓度分布，从而改变器件的电学性能，掺入的杂质 可以是IIIA族和VA族的元素。利用掺杂技术，可以制作 PN结、欧姆接触区、以及电阻等各种器件。 扩散是较早时期采用的掺杂技术，并且沿用至今，随着 扩散工艺的完善，其设备和操作也已采用计算机控制了。离 子注入法是上个世纪60年代发展起来的一种在很多方面都优 于扩散法的掺杂工艺，离子注入技术