第二章MOS器件与工艺基础精讲.doc

第二章 MOS器件与工艺基础 VLSIC的主流制造技术是MOS技术，因此，相关MOS器件基础知识就成为大规模、超大规模集成电路设计者必须掌握的基础知识。在本章中将介绍有关MOS器件的结构、工作原理、设计考虑以及有关基本理论。 2.1 MOS晶体管基础 2.1.1 MOS晶体管结构及基本工作原理 MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写，平面型器件结构，按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件。典型的硅栅NMOS和PMOS器件的平面和剖面结构如图2.1（a）和（b）所示。 图2.1 NMOS和PMOS的平面与剖面结构示意图 由图可见，NMOS和PMOS在结构上完全相象，所不同的是衬底和源漏的掺杂的类型不同。简单的说，NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。如图所示，两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。对于这种简单的结构，器件源漏是完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。器件的栅是具有一定电阻率的多晶硅材料，这也是硅栅MOS器件的命名根据。在多晶硅栅与