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1.求势垒高度为0.8v的au-si肖特基二极管的空穴电流和电子
习题Ⅳ 1. 求势垒高度为0.8V的Au-Si肖特基二极管的空穴电流和电子电流的比值。硅为n型,电阻率为1Ωcm,寿命τp=100μs,μp=400cm2/ Vs 。 2、一个欧姆接触的面积为10-5cm2,比接触电阻为10-6Ωcm2,这个欧姆接触是在一个n型硅上形成的。若ND=5×1019cm-3,ФBn=0.8V,电子有效质量为0.26m0,求有1A正向电流通过时,欧姆接触上的电压降。 3、当T 300K时,考虑以金作接触的n沟GaAs MESFET,假设势垒高度为0.89V,n沟道浓度为2×1015cm-3,沟道厚度为0.6μm,计算夹断电压和内建电势。(GaAs介电常数为12.4) 4 、 n沟GaAs MESFET,其中ФBn=0.9V,ND 1017cm-3,a=0.2μm,L=1μm,Z=10μm,载流子迁移率为。 a 这是增强型还是耗尽型器件。 b 求阈值电压。 c 求VG=0时的饱和电流。 d 计算截止频率。 5、若两n沟GaAs MESFET的势垒高度均为0.85V,器件1的沟道掺杂浓度为4.7×1016cm-3,器件2的沟道掺杂浓度为4.7×1017cm-3,计算出阈值电压为零时,两器件分别所需的沟道厚度。 * * * * *
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