3,空穴的扩散系数为dp为47cm2s,则空穴的扩散电流密.docVIP

4． 设空穴浓度是线性分布的，在3(m内的浓度差为1015cm-3,空穴的扩散系数为Dp为47cm2/s,则空穴的扩散电流密度为 。 5． p型半导体Ge的电子亲和势(=4. 13eV，费米能级EF-EV=0.25eV, 禁带宽度Eg=0.67eV, 则该p型Ge的功函数是 eV, 设金属铝的功函数为Wm=4.28eV, 若不考虑表面态的影响，当铝与该p型Ge进行理想接触时，金属一边的势垒高度q(ps= eV, 半导体一边的势垒高度qVD= eV。该金属和半导体的接触属于 接触。 三、计算题（15分） 在T＝300K时，计算下列条件下锗半导体的热平衡浓度和的值和费米能级的位置（EF-Ei），并画图表示。T=300K时Ge的本征载流子浓度ni=2.4×1013cm-3 （1），。 （2），。 四．计算题（15分） T＝300K时，硅霍尔器件的参数为，，，测得，，，，试确定： 霍尔电压， 导电类型， 多数载流子浓度， 多数载流子迁移率。 五．综合题（15分） 下图是室温下一个pn结二极管内的稳态载流子浓度图，图上标出了刻度。 二极管是正偏还是反偏？并加以解释。 二极管准中性区域是否满足小注入条件？请解释你是如何得到答案的？ 确定外加电压V p型和n型一侧杂质浓度各是多少？ 六．画图题（15分） 用能带图，画出半导体中的过剩载流子直接复合和通过R-G中心复合的图 用能带模型画图表示半导体中的受主杂质在T(0、 低温弱电离区、中间电离区和室温强电离区的电离示意图。 3．如图所示是”同型掺杂“的nn突变结的杂质浓度分布图 画出结的热平衡能带图, 并推导热平衡条件下结的内建电势VD的表达式 广东工业大学考试试卷 （B）参考答案及评分标准 课程名称: 半导体物理 考试时间: 2007 年 1 月10 日 (第 19 周 星期三 ) 基本概念（共20分，每题4分） 1．费米能级是电子热力学系统的化学势，它标志在T=0K时电子占据和未占据的状态的分界线。即比费米能级高的量子态，都没有被电子占据，比费米能级低的量子态都被电子完全占据。处于热平衡状态的系统由统一的费米能级。费米能级与温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量有关 2. 载流子在半导体中运动时，不断地与热振动的晶格原子或电离的杂质离子发生碰撞，碰撞后载流子的运动速度的大小和方向发生了改变。用波的概念，就是说电子波在半导体中传播时遭到了散射。 半导体中载流子的散射机制： 晶格散射和电离杂质散射 3. 过剩空穴：价带中超出热平衡状态浓度的空穴浓度 非平衡少子的寿命：非平衡少子在复合前存在的平均时间。 4．简并半导体：掺杂浓度高，对于n型半导体，其费米能级EF接近导带或进入导带中；即满足：。对于 p型半导体，其费米能级EF接近价带或进入价带中的半导体，即满足条件：的半导体 非简并半导体：掺杂浓度较低，其费米能级EF在禁带中的半导体，对于n型半导体：满足条件 ，对于p型半导体，满足条件： 5. 价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带 导带： 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带 禁带：晶体中不可以容纳电子的一系列能级，对于半导体，通常指导带底与价带顶之间能带 二. 填空题（共20分，每题4分） 1． ， 2．4.54×10-5(0， 1 （各2分） 3．2．29×1013cm-3 4．25.1A/cm2 5．4.55, 0.25 0.27,整流接触也叫阻挡层接触， 三、计算题（15分） 因为NA与ni接近，属于过渡区，p型半导体 NDni, 处于强电离区。 四．计算题（15分） 五．综合题（15分） (1) 二极管为正偏。因为在耗尽层边界处存在着积累，或者说少数载流子存在着过剩现象 (2) 满足小注入条件。准中性区域内：n区：(p=(1010-105)(1010nn=1015cm-3 p 区：(n=(108-103)(108pp=1017cm-3 (3) 根据pn结定律 p型一侧：NA=1017cm-3 n型一侧：ND=1015cm-3