单相固溶体晶体的凝固解决方案.pptVIP

七、固溶体晶体中的成分偏析 在不平衡凝固过程中，固相中溶质浓度分布不均匀，凝固结束，晶体中成分也不均匀，即有成分偏析。根据晶体生长方式不同，发生偏析的区域不同，晶体中的成分偏析可以分为三类： 1、宏观偏析 在没有成分过冷，晶体以平面方式生长时，先结晶固体中溶质浓度低，后结晶固体的溶质浓度高，造成宏观上成分不均匀。这类成分偏析称为宏观偏析。 2、胞状偏析 在胞状生长方式时，胞状晶内部溶质浓度低，胞界部位有溶质富集，形成胞状偏析。见下页图 3、枝晶偏析 当成分过冷很大，固溶体晶体以树枝状生长时，先结晶的枝晶主干溶质浓度低，枝晶外围部分溶质浓度高。形成树枝状偏析。 右图为 Cu-Ni合金的树枝晶及偏析，白亮部位Cu含量低，Ni含量高。 §4-5 两相共晶体的长大 (自学) §4-6 铸锭组织与控制 一、铸锭三区的形成 1、表面细晶区 表面冷却速度快，过冷度大，锭模内壁可作为形核基底，所以铸锭表面层形核率很高，晶粒细小。晶粒形状为等轴晶。由于结晶速度快，放出的结晶潜热来不及散失，从而使液-固界面的温度急速升高，表层细晶区很快便停止了发展，所以细晶区很薄。 2、柱状晶区 表层细晶区形成后，由于液体温度升高，过冷度减小，新晶核不再生成，细晶中那些能够优先生长的晶面开始向液相中（沿传热的反方向）长大，侧向生长受到相邻晶粒的阻碍，从而形成柱状晶。 3、中心等轴晶区 凝固后期，铸锭中心温度降至熔点以下。一方面可以形成新的晶核；另一方面由于液体金属的流动、冲刷作用，一些细晶区的小晶粒，或者有些柱状晶、枝晶的碎块被推到铸锭中心区。这些小晶体也可以作为晶核。这些晶核在铸锭中心区生长没有方向性，所以形成等轴晶（较粗大）。 二、铸锭组织的控制 铸锭的组织对材料的性能有重要影响：细小的等轴晶具有良好的强度和塑性、韧性；粗大的晶粒使性能降低。 1、影响晶粒大小的因素 晶粒的大小取决于形核率和晶核长大速度。形核率高，晶核长大速度低，晶粒细小。 ? 冷却速度 提高冷却速度，即提高过冷度，可以提高形核率。由于晶粒数目多，所以晶粒变得细小。虽然过冷度大，晶体长大速度也增大，但是不如形核率的影响大。 提高冷却速度的途径：锭模温度低（可加冷却），浇注温度低，浇注速度慢。 ?变质处理 变质处理的作用：增加非均匀形核的形核率，降低晶体增大的速度。 变质处理的方法：向金属液体中加入变质剂（形核剂）。如向纯铝（纯度99.99%）中加入0.2~0.3%Ti，单位体积中的晶粒数由2个/cm3增加到170~180个/cm3。 又如，向Al-Si合金液体中加入Na（钠盐），可以细化共晶Si。就是Na阻碍Si晶体的快速长大。 ?振动、搅拌 采用机械振动、超声波振动、人工或电磁搅拌等措施，使金属液体在锭模中运动，可以造成枝晶局部折断，从而增加晶核数目，使晶粒细化。例如做冰淇淋。 制取单晶 定向凝固 区熔法提纯 区熔多次使成分均匀 区熔多次使纯度提高 §9-4 晶粒生长与二次再结晶 1、定义： 晶粒生长－－材料热处理时，平均晶粒连续增大的过程。 推动力：基质塑性变形所增加的能量提供了 使晶界移动和晶粒长大的足够能量。 二次再结晶－－(晶粒异常生长或晶粒不连续生长) 少数巨大晶体在细晶消耗时成核长大过程。 2、晶粒长大的几何情况： ? 晶界上有界面能作用，晶粒形成一个与肥皂泡沫相似的三维阵列； ? 边界表面能相同，界面夹角呈120度夹角，晶粒呈正六边形；实际表面能不同，晶界有一定曲率，表面张力使晶界向曲率中心移动。 ? 晶界上杂质、气泡如果不与主晶相形成液相，则阻碍晶界移动。 晶粒长大定律： t=0时，晶粒平均尺寸 讨论： (1)当晶粒生长后期(理论)：DD0 (2)实际：直线斜率为1/2～1/3， 且更接近于1/3。 原因：晶界移动时遇到杂质或 气孔而限制了晶粒的生长。 界面 通过 夹杂 物时 形状 变化 3、晶界移动 (1)移动的七种方式 1－气孔靠晶格扩散迁移 2－气孔靠表面扩散迁移 3－气孔靠气相传递 4－气孔靠晶格扩散聚合 5－气相靠晶界扩散聚合 6－单相晶界本征迁移 7－存在杂质牵制晶界移动 2 6 7 5 4 3 1 晶界的移动方向 (2)气孔位于晶界上 移动？ 阻碍？ 影响因素： 晶界曲率；