CH.9重量法要点.ppt

3.2 沉淀的形成（仅能定性地说明） ↓究竟生成哪一种类型的↓？ 主要取决于： ↓本身的性质 形成↓的过程 ↓的后处理 沉淀类型 晶形沉淀 凝乳状 无定形沉淀 CaC2O4，BaSO4 胶体 MgNH4PO4 AgCl Fe OH 3 颗粒直径0.1～1?m 0.02～0.1?m 0.02?m 成核作用 均相成核 异相成核 长大 凝聚 定向排列 构晶离子 晶核 沉淀颗粒 构晶离子：构成↓的离子，如Ba2+、SO2-4 晶种 成核作用：由构晶离子的静电 作用力而缔合起来 无定形?;V1 V2 晶形?;V1 V2 均相成核 晶核已不是液相的组分，而是结晶的胚芽 成核作用 均相成核 异相成核 长大 凝聚 定向排列 构晶离子 晶核 沉淀颗粒 无定形?;V1 V2 晶形?;V1 V2 异相成核：杂质、灰尘 长大：溶液中有了晶核后，过饱和溶液中的溶质就可 在晶核上沉积出来，晶核逐渐长成↓颗粒。 有的过饱和溶液就是析不出↓颗粒，原因：无 晶核或晶种。 V1：晶核形成速度 V2：成长速度 成核作用 均相成核 异相成核 长大 凝聚 定向排列 构晶离子 晶核 沉淀颗粒 无定形?;V1 V2 晶形?;V1 V2 前已述及，由构晶离子组成的晶核叫均相成核；不纯微粒也可起晶种的作用叫异相成核（癌细胞） 显然，我们能做的就是尽量减少晶核的数目，除了将容器洗干净，让杂质微粒降到最小（异相成核无法避免，只能减少），我们能否让均相成核减少，以至让其趋仅于零呢？ S:　晶核的溶解度 CQ：加入沉淀剂瞬间溶质的总浓度 CQ - S：过饱和度 K：常数，与沉淀的性质、温度、 介质等有关 相对过饱和度 自发产生晶核的相对过饱和值 冯·韦曼 Von Weimarn 提出了一个经验公式：对同一种?而言，分散度（表示 ? 颗粒大小）与溶液中的相对过饱和度成正比。 冯·韦曼 Von Weimarn 经验式指出： 2. 近代?理论和实验证明：各种?都有一个自发产生晶 核的相对过饱和值。 临界CQ/S CQ/S CQ临界/S， 异相成核为主，可得大颗粒? CQ/S CQ临界/S ， 均相成核为主，可得小颗粒? 3.3 影响沉淀纯度的因素 对?的要求：1.S小; 2.纯; 3.易过滤洗涤; 4.易转称量形式 一、影响纯度的因素 影响沉淀纯度的因素 1.共沉淀 2.后沉淀 吸附 包藏 混晶 共?：当一种难溶物从溶液中?时，溶液中某些可溶性杂质也会被?带下来而混入?中 当?析出后，在放置过程中，溶液中的杂质离子慢慢?到原来?上的现象 吸附规律： A. 吸附层 ?先吸附构晶离子 再吸附与构晶离子大小相近、电荷相同的离子 B. 扩散层 与构晶离子生成难溶的离子优先 其次是电荷高的 再次是浓度大的 吸附量（污染程度） a. ?的总表面积↗，吸附量↗ ； b. C杂质↗，吸附量↗； c. T↗，吸附量↘（吸附是一放热过程） 消除方法：洗涤（少量多次） 2 混晶或固溶体 半径相同、晶体结构相同，极易混晶（固体溶液）。 消除方法： 分离 （3）吸留或包藏 ?速度太快，被吸附在?表面的杂质离子还来不及离开，就被沉积上来的离子所覆盖。 （在分析化学中不重要） 2.后沉淀 后沉淀现象是指一种本来难以析出沉淀的物质，或是形成稳定的过饱和溶液而不能单独沉淀的物质，在另一种组分沉淀之后被“诱导”而随后也沉淀下来的 现象，而且它们沉淀的量随放置的时间延长而加多。 消除方法：再?（无法用洗涤的方法除之） 例如：控制 [S2-], 可使 CuS ? 而 ZnS 不 ?。但放置后CuS吸附S2- ，使[S2-]局部过浓。 ZnS ?。 消除方法：不要陈化 Cu S S S Zn 共↓和后↓的区别： a. T ↗, 后↓↗ ； b. t ↗, 后↓↗。 二、提高?纯度的方法 1.步骤（先?少量组分，再?大量组分） 2.选择合适的?剂（如选用有机?剂，可减少共?现象） 3.改变杂质的形式（如Fe3+?Fe2+，或加EDTA掩蔽） 4.改善?条件（见Sec.6） 5.再?（除吸留、包夹） 6.分离（混晶） 7.校正结果（在上述方法无效的前提下） Sec.4 进行沉淀的条件 4.1晶形沉淀 稀 热 慢 搅 陈 控制相对过饱和度要小，沉淀要陈化 4.2.无定形沉淀 浓、快 热 大量电解质 不必陈化 必要时再沉淀 含水多、疏松、不易过滤的缺点 这样含水就少，但[杂质]大。解决办法：沉淀完毕，加热水稀释。 水化程度减少，含水少，可防止胶溶 a.防止胶溶 b.电解质应是易挥发的铵盐或稀的强酸 本来就疏松，一陈化，以后更难洗净 无定形沉淀含杂质多，若对准确度要求高，应再沉淀 4.3 均匀沉淀法 通过缓慢的化学反应过程，逐步地、均匀地在溶液中产生沉淀剂，使沉淀在整个溶液中均匀地慢慢地形成，得