20060214_Cell Process_李权哲.pptVIP

Cell process introduction PI coating Rubbing Assembly Scribe Break Polarizer Laminator Cell test Rework CF 玻璃基板 TFT 玻璃基板 基板清洗 PI 印刷(硬化) 配向 配向後清洗 基板清洗 PI 印刷(硬化) 配向 配向後清洗 框膠塗佈 UV照射固化 切割/裂片 基板組合 偏光板貼附 加壓脫泡 出貨(至模組廠) 液晶滴入 CT2 Cell Process CT1 銀膠塗佈 PI process CF Input TFT Input Pre PI cleaner PI print PI Pre-bake PI inspection PI Post-bake PI cooling Pre PI cleaner 清洗程序 Pre PI cleaner unit flow pressure 表 清洗程序 EUV Neutral Detergent Brush D.I. water Shower CJ + Shower Air Knife Conveyor IR CPO Conveyor Swivel conveyor EUV area 藉由紫外線照射後產生的O3,及活性氧, 將 Particle(主成份為有機碳化合物),氧化為H2O,CO2,CO等易揮發物質,達到基板表面及表面改質作用。 UV Lamp UV (172nm) (185nm) (254nm) UV (254nm) Ozone 有機物質 紫外線 照射 切斷化學結合 酸化分解 cleaning O* radical 酸素 基 板 原理圖 1) 利用 光 energy 切斷 高分子結合 反 應 2) 促進 酸化反應 搭配Ozone 3) 通過酸化反應作氣化 COx H20 NOx O2 + O* Excimer UV/O3 洗淨 Neutral area Detergent Brush area 使Brush和基板表面直接摩擦同時作Detergent shower。Brush為上下對向2段, 上壓力比下壓力大,當玻璃基板未至Roller Brush 前,上下Brush可對向摩擦,有自我清潔之作用。 Detergent為運用界面活性劑同時含有親油基與親水基的結構。 Detergent/Brush洗淨 Brush Chamber - Brush : Larger particle(5um) - 使用Brush去除Particle時,使Brush和基板表面直接摩擦同時作Detergent shower - Brush為上下對向2段, 上下 Brush之轉數均為400rpm,當玻璃基板未至Roller Brush 前,上下Brush可對向摩擦,有自我清潔之作用 Brush壓入量 -壓入量越大,去除能力越佳 -壓入量越大,基板越容易歪掉,導致基板被其他硬體設施打破,故一般壓入量 均在0.6~1.2mm之間(L8 壓入量:0.9mm) Detergent remove: 為運用界面活性劑同時含有親油基與親水基的結構 另外，大自然中大多數的油漬，其熔點會在40 C以下 故在此溫度下可達液化效果。 LH-300: Nonion Surfactant 30 ± 1%(L5/L6) CH3R(OCH2CH2)---OH Detergent/Brush洗淨 D.I. water shower area C.J. + shower area Cavitation Jet 使用高壓水柱衝擊表面,並且故意造成over flow情形?利用空氣與水混合後,產生氣泡,並在基板表面產生氣體爆破, 則在氣泡產生與消去中所產生的能量可加強去除能力 C.J ( Cavitation Jet)洗淨 C.J(High pressure jet): Particle size ~3um 作用: 1.使用高壓水柱衝擊表面,並且故意造成over flow情形?利用空氣與水混合後, 產生氣泡,並在基板表面產生氣體爆破, 則在氣泡產生與消去中所產生的能量 可加強去除能力。 2.壓力越大,去除能力越強(高壓水柱壓力:10kg/cm2) 。 Air knife area 除去表面液體,玻璃基板初步乾燥。此風刀與玻璃基板成斜角,主要目的是 可使基板表面液體更確實驅離表面以防殘留。而Line1與Line2的風刀方向 呈現不同,剛好成反方向垂直。 Air knife :It uses slit nozzle to do water cutting 作用:除去表面液體,玻璃基板初步乾燥。 Drying Mechanism Upper slit n