模拟电子技术第4章要点.ppt

? 分压式自偏压电路 vDS =VDD – iD(Rd +R) （Rg3中无电流） 求得VGS、ID、 VDS。 Cb1 C + – R g d s T 3DJ2 Rg2 +VDD Cb2 0.01?F 0.01?F +18V 2k? 47k? 10?F 图4－14 + – Rg3 10M? Rg1 2M? Rd 30k? 32. 二、场效应管放大电路的小信号模型分析法 1. 场效应管的小信号模型 条件：? 信号是微变量 ? 管子工作在线性区 ?无栅流。所以输入g、s间相当于一个很大的电阻 用rgs表示 输出 iD = f (vDS , vGS ) (依输出特性得来) 33. 用相量表示 g s d rgs rd + – – + — 34. 图4－15 vGS vDS d s g + – + – iD (a) g s d rgs rd + – – + (b) — 35. 要求不高的场合可用简化模型 ? rgs可不画； ? rd Rd ，忽略rd的影响。 g s d + – – + 图4－16 — 36. 第四章 场效应管放大器 学习内容：? 场效应管（简称FET）工作原理及特性曲线 ? FET放大器 学习方法：和BJT及基本放大器对照学 §4.1 结型场效应管（JFET） 一、JFET的结构和工作原理 结构、符号