c5.4半导体激光器试题.pptVIP

§5.4 半导体激光器 半导体激光器是以半导体材料作为激光工作物质的； 电子跃迁发生在半导体材料导带中的电子态和价带中的空穴态之间； 在电流或光的激励下，半导体价带中的电子可以获得能量，跃迁到导带上，在价带中形成一个空穴，这相当于受激吸收过程； 价带中的空穴也可被从导带跃迁下来的电子填补而复合。在复合时，电子把多余能量以光子形式释放出来，这相当于自发辐射或受激辐射。 作业： P126: 12, 14 §5.4 半导体激光器 §5.3 染料激光器 §5.5 其他激光器 第五章 典型激光器介绍 §5.2 气体激光器 §5.1 固体激光器 * 5.4.1 半导体的能带和产生受激辐射的条件 1. 在半导体中，由于邻近原子的作用，电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带。见图(5-23)。 图(5-23) 固体的能带 空穴 一、半导体的能带 由价电子能级分裂而成的能带叫做“价带”，而在未激发情况下无电子填入的能带叫做“空带”，若价带中的电子受激而进入空带，则此空带称为“导带”，同时，价带上由于价电子激发到导带后留下一些 “空穴”。 “价带” 和“导带”之间是“禁带”。导带底的能量和价带顶的能量之间的能量差Eg称为禁带宽度或带隙。电子不可能占据禁带。 5.4.1 半导体的能带和产生受激辐射的条件 纯净(本征)半导体材料，如单晶硅、锗等，在绝对温度为零的理想状