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第7章 半导体电子论 热平衡下电子和空穴的浓度 半导体中的杂质电子，或价带中的电子通过吸收热能，激发到导带中 —— 载流子的产生 电子回落到价带中和空穴发生复合 —— 载流子的复合 —— 达到平衡时，载流子的产生率和复合率相等 电子和空穴的浓度有了一定的分布 电子和空穴的浓度满足 —— 热平衡条件 在外界的影响作用下，电子和空穴浓度可能偏离平衡值 即有 —— 非平衡载流子 非平衡电子和非平衡空穴的浓度相同 —— 如本征光吸收 —— 本征光吸收产生电子 — 空穴对 非平衡载流子对多子和少子的影响 多子的数目很大 —— 非平衡载流子对多子的影响不明显 —— 对少子将产生很大影响 —— 在讨论非平衡载流子的问题时 主要关心的是非平衡少数载流子 1. 非平衡载流子的复合和寿命 在热平衡下，载流子的浓度具有稳定值 非平衡载流子 —— 光照可以产生载流子 —— 开始光照，载流子的产生率增大，同时复合率也增大 载流子的浓度偏离热平衡时的浓度 一段时间的光照后，非平衡载流子的浓度具有确定的数目 —— 载流子的产生率和复合率相等 载流子的浓度到达一个新的平衡 —— 撤去光照，载流子复合率大于产生率，经过一段时间后 载流子的浓度又恢复到热平衡下的数值 —— 单位时间、单位体积复合的载流子数目 —— 光照稳定时的非平衡载流子浓度 撤去光照后，非平衡载流子浓度随时间的变化关系 —— ? 为非平衡载流子的寿命 —— 载流子的复合是以固定概率发生的 非平衡载流子的复合率 非平衡载流子的寿命?的意义 1) 光照使半导体的导电率明显增加 —— 光电导效应 —— ?决定着变化的光照时，光电导反应的快慢 —— 两个光信号的间隔 ，可以分辨出相应的电流信 号变化，才可以分辨出两个光信号 2) 非平衡载流子的寿命?越大，光电导效应越明显 —— 非平衡载流子的浓度减小为平衡值的1/e所需要的时间 是?，显然?越大，非平衡载流子浓度减小得越慢 —— 一个非平衡载流子只在?时间里起到增加电导的作用， ?越大，产生一个非平衡载流子对增加的电导作用越大 非平衡载流子的寿命?的意义 3) 非平衡载流子的寿命?对光电导效应有着重要的意义，通 过测量光电导的衰减，可以确定非平衡载流子的寿命 4) 寿命?与半导体材料所含的杂质与缺陷有关 —— 深能级杂质的材料，电子先由导带落回一个空的杂质深 能级，然后由杂质深能级落回到价带中空的能级 —— 非平衡载流子的寿命的测量可以鉴定半导体材料晶体质 量的常规手段 —— 深能级起着复合作用，降低了非平衡载流子的寿命 非平衡载流子的寿命?的意义 2. 非平衡载流子的扩散 金属和一般的半导体中，载流子在外场作用下的定向运动 —— 形成漂移电流 半导体中载流子浓度的不均匀而形成扩散运动 —— 产生扩散电流 —— 非平衡少数载流子产生明显的扩散电流 —— 多数载流子，漂移电流是主要的 一维扩散电流的讨论 均匀光照射半导体表面 —— 光在表面很薄的一层内被吸收 光照产生非平衡少数载流子 —— 在稳定光照射下，在半 导体中建立起稳定的非 平衡载流子分布 —— 向体内运动，一边扩散 一边复合 非平衡载流子的扩散是热运动的结果 非平衡少数载流子一边扩散一边复合，形成稳定分布 浓度满足连续方程 —— 载流子的复合率 —— 单位时间、通过单位横截面积载流子数目 —— 扩散流密度 方程的通解 边界条件 深入样品的平均距离 —— 扩散长度 扩散流密度 PN结的构成 PN结的性质 —— 单向导电性 电流随电压变化特性 反向状态 正向状态 一部分是N型半导体材料 一部分是P型半导体材料 §7.6 PN 结 1. 平衡PN结势垒 电子浓度 空穴浓度 —— 掺杂的N型半导体材料，在杂质激发的载流子范围，电 子的浓度远远大于空穴的浓度，费密能级在带隙的上半 部，接近导带 P型半导体材料中，费密能级在带隙的下半部，接近价带 N型和P型材料分别形成两个区 —— N区和P区 N区和P区的费密能级不相等，在PN结处产生电荷的积累 —— 稳定后形成一定的电势差 P区相对于N区具有电势差 —— PN结势垒作用 正负载流子在PN结处聚集，在PN结内部形成电场 ——自建场 —— 势垒阻止N区大浓度的电子向P区扩散 平衡PN结 —— 载流子的扩散和漂移运动的相对平衡 —— 电场对于N区的电子和P区的空穴是一个势垒 —— 势垒阻止P