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溶解度曲线 溶解度曲线是选择从溶液中生长晶体的方法和生长温度区间的重要依据。如对于溶解度温度系数很大的物质，采用降温法比较理想，但对于溶解度温度系数较小的物质则宜采用蒸发法，对于具有不同晶相的物质则须选择对所需要的那种晶相是稳定的合适生长温度区间。 饱和与过饱和（Saturation and oversaturation） 主要途径有： (1)根据溶解度曲线，改变温度。 (2)采取各种方式(如蒸发、电解)移去溶剂．改变溶液成分。 (3)通过化学反应来控制过饱和度。 (4)用亚稳相来控制过饱和度，即利用某些物质的稳定相和亚稳相的溶解度差别，控制一定的温度，使亚稳相不断溶解，稳定相不断生长。 1．降温法 基本原理：利用物质较大的正溶解度温度系数，用这种方法生长的物质的溶解度温度系数最好不低于1．5g／(kg溶液·°C)。 适用于溶解度和温度系数都较大的物质，并需要一定的温度区间。比较合适的起始温度是50—60℃，降温区间以15—20℃为宜。 降温法实验要点 要求晶体对溶液作相对运动，最好是杂乱无章的运动，其中以晶体在溶液中自转或公转最为常用，用以下程序进行控制：正转→停→反转→停→正转。 关键：在晶体生长过程中，掌握合适的降温速度，使溶液始终处在亚稳区内并维持适宜的过饱和度。 降温速度一般取决于以下几个因素： (1)晶体的最大透明生长速度，即在一定条件下不产生宏观缺陷的最大生长速度。 (2)溶解度的温度系数。 (3)溶液的体积V和晶体生长表面积S之比，简称体面比。 一般来说，在生长初期降温速度要慢，到了生长后期可稍快些。掌握规律后，也可按设定程序，实行自动降温。 降温法实验要点 Growth of NLO crystalsKDP (KH2PO4) Growth of NLO crystalsKDP (KH2PO4) 2．流动法（温差法） 基本原理：将溶液配制、过热处理、单晶生长等操作过程分别在整个装置的不同部位进行，构成一个连续的流程。 优点：利用这种方法生长大批量的晶体和培养大学晶并不受晶体溶解度和溶液体积的限制，而只受容器大小的限制， 缺点：设备比较复杂，必须用泵强制溶液循环流动，这在某种程度上限制了它的应用。 3．蒸发法 基本原理：将溶剂不断蒸发移去，而使溶液保持在过饱和状态，从而使晶体不断生长。这种方法比较适合于溶解度较大而溶解度温度系数很小或是具有负温度系数的物质。 这种装置比较适合于在较高的温度下使用（60°C以上）。若要在室温附近用蒸发法培养晶体，可向溶液表面不断送入干燥空气，它在溶液下方带走了部分水蒸气，然后经过冷凝器除去水分，再送回育晶器循环使用，使水不断蒸发，但蒸发速度难以准确控制。 4．凝胶法 凝胶生长法就是以凝胶作为扩散和支持介质，使一些在溶液中进行的化学反应通过凝胶(最常用的是硅胶)扩散．缓慢进行。溶解度较小的反应产物常在凝胶中逐渐形成晶体，所以凝胶法也是通过扩散进行的溶液反应法。 该法适于生长溶解度十分小的难溶物质的晶体。由于凝胶生长是在室温条件下进行的，因此也适于生长对热很敏感(如分解温度低或熔点下有相变)的物质的晶体。 5．水热法（hydrothermal）（高压溶液法） 水热反应釜 Crystals from melt 从熔体中生长晶体，一般有两种类型： (1)晶体与熔体有相同的成分。纯元素和同成分熔化的化合物(具有最高熔点)属于这一类，在生长过程中，晶体和熔体的成分均保持恒定，熔点亦不变。这种材料容易得到高质量的晶体(例如Si，Ge，Al2O3，YAG等)， (2)生长的晶体与熔体成分不同。掺杂的元素或化合物以及非同成分熔化的化合物属于这一类。在生长过程中，晶体和熔体的成分均不断交化，熔点(或凝固点)也随成分的变化而变化。 熔体生长法分类 根据熔区的特点，将熔体生长的方法分为两大类： (1)正常凝固法该方法的特点是在晶体开始生长的时候，全部材料均处于熔态(引入的籽晶除外)。在生长过程中，材料体系由晶体和熔体两部分所组成。 (2)逐区熔化法该方法的特点是固体材料中只有一小段区域处于熔态，材料体系由晶体、熔体和多晶原料三部分所组成，体系中存在着两个固—液界面，一个界面上发生结晶过程，而另一个界面上发生多晶原料的熔化过程。 1. 提拉法（Czochralski method, 1918） 主要优点是： (1)在生长过程中，可以方便地观察晶体的生长状况； (2)晶体在熔体的自由表面处生长，而不与谢涡相接触，这样能显著减小晶体的应力并防止坩埚壁上的寄生成核； (3)可以方便地使用定向籽晶和“缩颈”工艺，以得到完整的晶体和所需取向的晶体； (4)能够以较快的速率生长较高质量的晶体。 局限性：对于那些反应性较强或熔点极高的材料，就难以找到合适的坩埚来盛装它们，从面不得不改用其他生