微电子工艺原理- 第5讲 清洗工艺 2.pptVIP

1、清洗的概念及超净室环境介绍 2、污染的类别及清除过程 第五讲之 Si片的清洗工艺 三道防线: 净化环境（clean room） 硅片清洗（wafer cleaning） 吸杂（gettering） 引言 芯片代加工工厂的环境通过以下措施进行: HEPA(high-efficiency particulate arresting ) filters and recirculation for the air.(高效过滤器和空气再循环) “Bunny suits” for workers.(工作人员的超净工作服) Filtration of chemicals and gases.(高纯化学药品和气体) Manufacturing protocols.(严格的制造规程) HEPA: High Efficiency Particulate Air 引言 恒温，恒湿，恒尘，恒压，恒震，恒静 1、净化环境 From Intel Museum 引言 风淋室 净化级别：每立方英尺空气中含有尺度大于0.5mm的粒子总数少于X个。（1立方英尺=0.283立方米） 0.5um 引言 引言 超净室的构造 由于集成电路內各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到灰尘、金属的污染，很容易造成芯片内电路功能的损坏，形成短路或断路，导致集成电路的失效！在现代的VLSI工厂中，75%的产品率下降都来源于硅芯片上的颗粒污染。 例1. 一集成电路厂 产量＝1000片/周×100芯片/片，芯片价格为$50/芯片，如果产率为50％，则正好保本。若要年赢利$10,000,000，产率增加需要为 产率提高3.8%，将带来年利润1千万美元！ 年产能=年开支 为1亿3千万 1000×100×52×$50×50% =$130,000,000 污染的危害 污染物可能包括：微尘，有机物残余，重金属，碱离子 污染物的类别及清洗过程 颗粒：所有可以落在硅片表面的都称作颗粒。 颗粒来源： 空气 人体 设备 化学品 超级净化空气 1、颗粒 各种可能落在芯片表面的颗粒 粒子附着的机理：静电力，范德华力，化学键等 去除的机理有四种： 1 溶解 2 氧化分解 3 对硅片表面轻微的腐蚀去除 4 粒子和硅片表面的电排斥 去除方法：湿法刻蚀, megasonic（超声清洗） 清洗的原理 0.2mm 0.5mm NH4OH 130-240 15-30 H2O2 20-100 5-20 HF 0-1 0 HCl 2-7 1-2 H2SO4 180-1150 10-80 在ULSI级化学试剂中的颗粒浓度（数目/ml） 2、金属的玷污 来源：化学试剂，离子注入、反应离子刻蚀等工艺 量级：1010原子/cm2 影响： 在界面形成缺陷，影响器件性能，成品率下降 增加p-n结的漏电流，减少少数载流子的寿命 Fe, Cu, Ni, Cr, W, Ti… Na, K, Li… 不同工艺过程引入的金属污染 金属杂质沉淀到硅表面的机理 通过金属离子和硅表面终端的氢原子之间的电荷交换，和硅结合。（难以去除） 氧化时发生：硅在氧化时，杂质会进入 去除方法：使金属原子氧化变成可溶性离子 M Mz+ + z e- 去除溶液：H2O2：强氧化剂 电负性 Cu+e Cu- Si Si++e Cu2-+2e Cu 3、有机物的玷污 来源： 环境中的有机蒸汽 存储容器 光刻胶的残留物 去除方法：强氧化 － 臭氧干法 － Piranha：H2SO4-H2O2 － 臭氧注入纯水 4、自然氧化层 在空气、水中迅速生长 带来的问题： 接触电阻增大 难实现选择性的CVD或外延 成为金属杂质源 难以生长金属硅化物 清洗工艺：HF＋H2O（ca. 1: 50） 典型的湿法化学清洗药品 有机物/光刻胶的两种清除方法： 氧等离子体干法刻蚀：把光刻胶分解为气态CO2＋H2O （适用于大多数高分子膜） 注意：高温工艺过程会使污染物扩散进入硅片或薄膜 前端工艺（FEOL）的清洗尤为重要 金属 Piranha（SPM：sulfuric/peroxide mixture） H2SO4(98％):H2O2(30％)=2:1~4:1 把光刻胶分解为CO2＋H2O （适合于几乎所有有机物） Si片的清洗工艺 标准清洗液-SC1（APM，Ammonia Peroxide Mixture）： NH4OH(28%):H2O2(30%):DIH2O=1:1:5～1:2:7