第4章p-n结2011概念.ppt

第四章 p-n结 4.1 pn结的形成及其平衡态 4.2 pn结的伏安特性 4.3 pn结电容 4.4 pn结击穿 4.5 pn结的光伏效应 4.6 pn结发光 4.1 pn结的形成及其平衡态 4.1.1 pn结的形成及其杂质分布 一、 pn结的形成及其杂质分布 二、pn结的杂质分布 4.1.2 热平衡状态下的pn结 一、pn结的空间电荷区与内建电场的形成 二、平衡pn结的能带结构 三、pn结的接触电势差 四、平衡pn结的载流子分布 2）扩散法（Diffusion technology） 3、离子注入法（Ion-implantation technology） 离子注入法采用气相杂质源，在高强度的电磁场中令其离化并静电加速至较高能量后注入到半导体适当区域的适当深度，通过补偿其中的异型杂质形成pn结。与扩散法相比，这种方法的最大特点是掺杂区域和浓度能够精确控制，而且杂质分布接近于图4-1所示的突变结。用离子注入法形成pn结不需要扩散法那样高的温度，因高能离子注入而受到损伤的晶格也只须在适当高的温度下退火即可修复，因此不会引起注入区周边杂质的扩散，是集成电路工艺普遍采用的掺杂方法。 4）外延法和直接键合法 在n型或p型半导体衬底上直接生长一层导电类型相反的半导体薄层，无须通过杂质补偿即可直接形成pn结。用这种方法形成pn结时，只需在生长源中加入与衬底杂质导电类型相反的杂质，在薄层生长的同时实现实时的原位掺杂。这种方法形成的杂质分布更接近于理想突变结分布。 将n型和p型半导体片经过精细加工和活化处理的两个清洁表面在室温下扣接在一起，然后在高真空和适当的温度与压力下，令原本属于两个表面的原子直接成键而将两块晶片结合成一个整体，同时形成pn 结。直接键合法能形成最接近理想状态的突变结。 二、pn结的杂质分布 1）突变结：用合金法、离子注入法、外延法和直接键合法制备的pn结，高表面浓度的浅扩散结可近似为突变结。直接键合法制备的突变结是最理想的突变结。 2）线性缓变结：低表面浓度的深扩散结近似为线性缓变结 4.1 pn结的形成及其平衡态 4.1.1 pn结的形成及其杂质分布 一、 pn结的形成及其杂质分布 二、pn结的杂质分布 4.1.2 热平衡状态下的pn结 一、pn结的空间电荷区与内建电场的形成 二、平衡pn结的能带结构 三、pn结的接触电势差 四、平衡pn结的载流子分布 一、pn结的空间电荷区与内建电场的形成 空间电荷区-耗尽层的形成 二、平衡pn结的能带结构 1、能带弯曲 2、热平衡pn结的费米能级 电子从费米能级高的n区流向费米能级低的p区，以及空穴从p区流向n区来实现的。在载流子转移的过程中，EFn下降，EFp上升，直至EFn＝EFp＝EF时达到平衡。 2、热平衡pn结的费米能级 在浓度差引起的扩散与扩散产生的自建电场的共同作用下 三、pn结的接触电势差 平衡pn结空间电荷区两端的电势差VD称为pn结的接触电势差或自建电势差，相应的电子势能之差，即能带的弯曲量qVD，称为pn结的势垒高度。 【例题】 四、平衡pn结的载流子分布 第六章 p-n结 4.1 pn结的形成及其平衡态 4.2 pn结的伏安特性 4.3 pn结电容 4.4 pn结击穿 4.5 pn结的光伏效应 4.6 pn结发光 4.2 pn结的伏安特性 4.2.1 广义欧姆定律 4.2.2 理想状态下的pn结伏安特性方程 4.2.3 pn结伏安特性对理想方程的偏离 4.2.1 广义欧姆定律 1、正向偏置下的pn结势垒区的变化与载流子运动 2、能带结构 因扩散区中的不断复合因而密度逐渐减小，故EF为一斜线； 准费米能级EFn从n型中性区到边界xp 处为一水平线，在电子扩散区逐渐下降，到注入电子为零处与EFn相汇合。 准费米能级EFp从p型中性区到边界xn处为一水平线，在空穴扩散区逐渐上升，到注入空穴为零处与EFn相汇合； 3、正偏置pn结的扩散电流 正偏压使pn结势垒降低，使穿越pn结的扩散流超过漂移流，p侧和n侧分别通过空间电荷区向对方注入少子空穴和电子。这些注入的少子因较大的密度差而向其纵深扩散，且一边扩散一边与多数载流子复合，形成指数衰减形式的密度梯度。 在空间电荷区边界xp和xn处的少子扩散电流密度即可分别写成 5、肖克莱方程式 二、反向偏置下的pn结 不同偏置状态下pn结扩散区及其附近的少数载流子密度分布 对?U?kT/q的反偏压，n侧扩散区内?p(x)=-pn0exp[(xn-x)/Lp]，其值在x=xn附近趋于-pn0，即p(x)在扩散区内从pn0衰减至零；同样，p侧扩散区内?n(x)也在-xp附近趋于-np0，即n(x)在扩散区内从np0衰减至零。正是这样的密度分布导致少子从p、n两侧向势垒区方向扩散，与正偏压注入少子的扩散方向