光电技术基础第四节研讨.pptxVIP

要探知一个客观事物的存在及其特性，一般都是通过测量对探测者所引起的某种效应来完成的。对光辐射量的测量也是这样。 在光电子技术领域，光电探测器有它特有的含义。大多数光探测器都是把光辐射量转换成电量来实现对光辐射的探测的。即便直接转换量不是电量，通常也总是把非电量(如温度、体积等)再转换为电量来实施测量。 从这个意义上说，凡是把光辐射量转换为电量(电流或电压)的光探测器，都称为光电探测器。 了解光辐射对光电探测器产生的物理效应是了解光探测器工作的基础。 1.12、光电探测器的物理效应 一、光热效应和光子效应概述 光电探测器的物理效应通常分为两大类：光子效应和光热效应。在每一大类中有可分为若干细目，如表所列。 表1 光热效应分类 表2 光子效应分类 在光照射下引起的电效应，统称为光电效应。光照射在金属表面时，金属中有电子逸出，形成真空中电子的现象，称为外光电效应，逸出的电子称为光电子，光电子形成的电流称为光电流；光照射在其它半导体材料上时，被光激发的载流子仍在物质内部运动，增加其电导率或产生电势差，这种现象称为内光电效应。 二、光热效应和光子效应的区别 所谓光子效应，是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。 探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。 光子能量的大小，直接影响内部电子状态改变的大小。因为，光子能量是h ν,h是普朗克常数，ν是光波频率。 所以，光子效应就对光波频率表现出选择性，在光子直接与电子相互作用的情况下，其响应速度一般比较快。 光热效应和光子效应完全不同。探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测器元件温度上升，温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其它物理性质发生变化。 所以，光热效应与单光子能量hν的大小没有直接关系。原则上，光热效应对光波频率没有选择性。 只是在红外波段上，材料吸收率高，光热效应也就越强烈，所以广泛用于对红外辐射的探测。 因为温度升高是热积累的作用，所以光热效应的响应速度一般比较慢，而且容易受环境温度变化的影响。 光电导效应只发生在某些半导体材料中，金属没有光电导效应。 1、半导体材料的电导概念： 金属之所以导电，是由于金属原子形成晶体时产生了大量的自由电子。自由电子浓度n是个常量，不受外界因素影响。 半导体和金属的导电机构不同，在0K时，导电载流子浓度为零。在0K以上，由于热激发而不断产生热生载流子(电子和空穴)，在扩散过程中又有复合作用，产生与复合的电子空穴对数目相等，达到动态平衡。 三、光子效应 在热平衡下，单位时间内热生载流子的产生数目正好等于因复合而消失的数目。 因此在半导体中维持着一个热平衡的电子浓度n和空穴浓度p，他们的平均寿命分别用 和 表示。 无论何种半导体材料，下式一定成立，即 式中ni是对应温度下本征半导体中的本征热生载流子浓度，它是温度的函数（见模电教材）。 2、光电导效应 光电导效应可分为本征光电导效应与杂质光电导效应两种，本征半导体或杂质半导体价带中的电子吸收光子能量跃入导带产生本征吸收，导带中产生光生自由电子，价带中产生光生自由空穴。光生电子与空穴使半导体的电导率发生变化。这种在光的作用下由本征吸收引起的半导体电导率的变化现象称为本征光电导效应。 通量为Φe,λ的单色辐射入射到如图1-10所示的半导体上，波长λ的单色辐射全部被吸收，则光敏层单位时间所吸收的量子数密度Ne,λ应为 (1-73) 光敏层每秒产生的电子数密度Ge为 （1-74） 在热平衡状态下，半导体的热电子产生率Gt与热电子复合率rt相平衡。光敏层内电子总产生率应为热电子产生率Gt与光电子产生率Ge之和 （1-75） 导带中的电子与价带中的空穴的总复合率R应为 （1-76） 式中，Kf为载流子的复合几率，Δn为导带中的光生电子浓度，Δp为价带中的光生空穴浓度，ni与pi分别为热激发电子与空穴的浓度。 同样，热电子复合率与导带内热电子浓度ni及空穴浓度pi的乘积成正比。即 （1-77） 在热平衡状态载流子的产生率应与复合率相等。即 （1-78） 在非平衡状态下，载流子的时间变化率应等于载流子的总产生率与总复合率的差。即 （1-79） 下面分为两种情况讨论： （1）在微弱辐射作用下，光生载流子浓度Δn远小于热激发电子浓度ni，光生空穴浓度Δp远小于热激发空穴的浓度pi，并考虑到本征吸收的特