尼曼 半导体物理与器件第十章研讨.pptVIP

* VGSVT，VDS较小时，相对电荷密度在沟道长度方向上为一常数。 随着VDS增大，漏端附近的氧化层压降减小，意味着漏端附近反型层电荷密度也将减小。 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * VDS增大到漏端氧化层压降为VT时，漏端反型电荷密度为0，此时漏端电导为0。 VDS VDS（sat）时，沟道反型电荷为0的点移向源端。在电荷为零的点处，电子被注入空间电荷区，并被电场扫向漏端。 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 漏端氧化层压降为VT时的VDS * n沟道增强型MOSFET的ID-VDS特性曲线 饱和区 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * n沟道耗尽型MOSFET： 一种情况n沟道是由金属-半导体功函数差和固定氧化层电荷生成的电子反型层； 另一种情况沟道是一个n型半导体区。 负栅压可在氧化层下产生一空间电荷区，从而减小n沟道区的厚度，进而gd减小，ID减小。 正栅压可产生一电子堆积层，从而增大ID。 为使器件正常截止，沟道厚度必须小于最大空间电荷宽度 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * （4）跨导 MOSFET的跨导gm（晶体管增益）：相对栅压的漏电流的变化。 MOSFET电路设计中，晶体管的尺寸，尤其是沟道宽度W是一个重要的工程设计参数。 （5）衬底偏置效应 前面讨论的情况，衬底（体）都于源相连并接地。 在MOSFET电路中，