现代电子材料与元器件_4研讨.ppt

* 第四章化合物半导体基础 光电工程学院微电子教学部 冯世娟 fengsj@cqupt.edu.cn 4.2 载流子的输运过程 3 速度过冲 在强电场作用下，半导体中载流子的瞬间漂移速度远超过其饱和速度值的现象，称为速度过冲。 图4.13 GaAs中载流子漂移速度与电场之间的关系 4.2 载流子的输运过程 3 速度过冲 为了讨论速度过冲现象，引入动量弛豫时间τm来表征载流子遭受散射的情况。于是载流子的运动方程可表示为 若τm与E无关，则有 当t远大于τm时，vd达到最大 图4.15漂移速度vd与时间的关系 4.2 载流子的输运过程 3 速度过冲 最大的漂移速度即定态漂移速度，随电场强度的增大而增大，但稳态时漂移速度都将趋于一个饱和值，即使电场在不断增加，这是热电子效应作用的必然结果。 在强电场的作用下，电子“温度”升高而成为热电子，此时热电子与晶格的散射越发频繁，从而使得驰豫时间τm在不断减小 vd即趋于定态值 4.2 载流子的输运过程 3 速度过冲 vd的定态值 由于电场强度越大，τm0就越小，而两者的乘积近乎为常数，故vd与电场强度E的关系如图4.16所示。可见，这时的结果和前面看到的实验结果较为一致。 图4.16 考虑热电子效应时，vd与时间的关系 4.2 载流子的输运过程 3 速度过冲 产生速度过冲这种瞬态效应的实质，可以认为是由于在强电场下，电子的动量驰豫时间τm很短所造成的。τm很短就意味着当电子进入高电场区时，其波矢会立刻增大，也就是说，电子可立刻获得很高的定向漂移速度；而这时如果电子的能量升高较慢(即能量弛豫时间较长)，来不及被“加热”，则电子的平均热运动速度仍将停留在与晶格温度相适应的较低数值上，从而使得电子的平均自由时间τ较长。迁移率μ=qτ/m*较高，漂移速度vd=μE很高，可以超过定态vd值，即速度过冲。 发生速度过冲的条件可以归纳为以下三点原因：(1)电场很强；(2) τm τE；(3)具有有效质量大的导带卫星能谷，其所具有的能量足够低，以至于在稳定态时，处于该能谷中的电子数较多。 4.2 载流子的输运过程 3 速度过冲 对于GaAs和InP等双能谷半导体, 能量弛豫时间τE实际上应是载流子的能量上升时间加上载流子在谷间转移所需要的时间。一般是有τm τE，则在强电场下电子动量(m*v)增加很快，但能量增加较慢，则这种动量很大的电子仍处于有效质量较小的主能谷中，从而迁移率较高。漂移速度可以大大越过定态漂移速度。 在这类半导体中，子能谷有很小的动量驰豫时间，则速度过冲效应尤为显著，可以说，速度过冲效应是动量很大、而能量(或电子温度)较低的非热电子在强电场作用下的一种瞬态输运过程中的现象。 当电子从低电场区进入高电场区的开始瞬间，也会有这种瞬态现象。 4.2 载流子的输运过程 3 速度过冲 需要说明的是在半导体中，能量弛豫时间τE一般不同于动量弛豫时间τm ，因为两者的散射机构不同。 例如高掺杂半导体，在较低温度下，动量弛豫主要是通过电离杂质散射进行，但能量驰豫却只能通过各种声子散射进行。 经过能量弛豫后，电子温度升高而成为热电子，则电子的平均热运动速度增大，使平均自由时间减小，迁移率下降，从而漂移速度也下降到与电场相应的定态值。 4.2 载流子的输运过程 4 载流子的弹道输运过程 与速度过冲必须考虑散射作用的情形不同。 器件有源区尺寸小于l的情形下，此时载流子在输运过程中将不断被电场加速，而不必考虑散射的影响。 在2DEG的二维体系中 图4.19 2DEG中的电子输运过程 4.2 载流子的输运过程 4 载流子的弹道输运过程 速度过冲和弹道输运都是载流子的瞬态输运过程。 在速度过冲的初始阶段，总包含有弹道输运过程。在图4.13中曲线的起始阶段，漂移速度随时间线性增大，这表明载流子被电场自由加速，这正是弹道输运过程。 此后漂移速度呈现出超过定态漂移速度的极大值，这才是速度过冲效应。 弹道输运 速度过冲 4.2 载流子的输运过程 4 载流子的弹道输运过程 稳态时，有 弹道输运 电子被加热到它们的最终的漂移能量Ef，此时有EfEi。如果动量弛豫时间τm是能量E的单调递减函数，则有vdvf，速度过冲现象就产生了。 4.3 二维电子气 1 二维电子气 1971年，Esaki和Tsu首先发现了超晶格和调制掺杂的半导体异质结中的二维效应。 GaAs/AlGaAs异质结中的2DEG 宽禁带半导体材料与窄禁带半导体材料形成异质结，在界面处产生会发生强烈的能带弯曲，在窄带半导体一侧形成电子的势阱。如果宽禁带半导体掺有施主杂质，则施主杂质中的电子将穿过界面势垒，被捕获在界面势阱中，如果这个势阱区很薄，则势阱中的电子呈现二维体系待征。 4