晶体二极管其基本电路技术方案.ppt

图1–16二极管特性的折线近似及电路模型 图1–16二极管特性的折线近似及电路模型 1–3–4二极管基本应用电路 利用二极管的单向导电特性，可实现整流、限幅及电平选择等功能。  一、二极管整流电路 把交流电变为直流电，称为整流。一个简单的二极管半波整流电路如图1–17(a)所示。若二极管为理想二极管，当输入一正弦波时，由图可知：正半周时，二极管导通(相当开关闭合)，uo=ui；负半周时，二极管截止(相当开关打开)， uo =0。其输入、输出波形见图1–17(b)。整流电路可用于信号检测，也是直流电源的一个组成部分。 图1–17二极管半波整流电路及波形 (a)电路； (b)输入、输出波形关系 图1–10反向偏置的PN结 三、PN结电流方程 理论分析证明，流过PN结的电流i与外加电压u之间的关系为 i=IS(e qu/kT-1)= IS(e u/UT-1) (1–4) ? 式中， IS为反向饱和电流，其大小与PN结的材料、制作工艺、温度等有关；UT=kT/q，称为温度的电压当量或热电压。在T=300K(室温)时， UT =26mV。这是一个今后常用的参数。 由式(1–4)可知，加正向电压时，u只要大于UT几倍以上，i≈Iseu/U-T，即i随u呈指数规律变化；加反向电压时，|u|只要大于UT几倍以上，则i≈–IS(负号表示与正向参考电流方向相反)。因此，式(1–4)的结果与上述的结论完全一致。由式(1–4)可画出PN结的伏安特性曲线，如图1–11所示。图中还画出了反向电压大到一定值时，反向电流突然增大的情况。 1–2–3 PN结的击穿特性 由图1–11看出，当反向电压超过UBR后稍有增加时，反向电流会急剧增大，这种现象称为PN结击穿，并定义UBR为PN结的击穿电压。PN结发生反向击穿的机理可以分为两种。 图1–11 PN结的伏安特性 一、雪崩击穿 在轻掺杂的PN结中，当外加反向电压时，耗尽区较宽，少子漂移通过耗尽区时被加速，动能增大。当反向电压大到一定值时，在耗尽区内被加速而获得高能的少子，会与中性原子的价电子相碰撞，将其撞出共价键，产生电子、空穴对。新产生的电子、空穴被强电场加速后，又会撞出新的电子、空穴对。 二、齐纳击穿 在重掺杂的PN结中，耗尽区很窄，所以不大的反向电压就能在耗尽区内形成很强的电场。当反向电压大到一定值时，强电场足以将耗尽区内中性原子的价电子直接拉出共价键，产生大量电子、空穴对，使反向电流急剧增大。这种击穿称为齐纳击穿或场致击穿。一般来说，对硅材料的PN结，UBR7V时为雪崩击穿； UBR 5V时为齐纳击穿； UBR介于5~7V时，两种击穿都有。 1–2–4PN结的电容特性 PN结具有电容效应，它由势垒电容和扩散电容两部分组成。 一、势垒电容 从PN结的结构看，在导电性能较好的P区和N区之间，夹着一层高阻的耗尽区，这与平板电容器相似。当外加电压增大时，多子被推向耗尽区，使正、负离子减少，相当于存贮的电荷量减少；当外加电压减小时，多子被推离耗尽区，使正、负离子增多，相当于存贮的电荷量增加。 因此，耗尽区中存贮的电荷量将随外加电压的变化而改变。这一特性正是电容效应，并称为势垒电容，用CT表示。经推导，CT可表示为 (1–5) 式中：CT0为外加电压u=0时的CT值，它由PN结的结构、掺杂浓度等决定；UB为内建电位差；n为变容指数，与PN结的制作工艺有关，一般在1/3~6之间。 二、扩散电容 正向偏置的PN结，由于多子扩散，会形成一种特殊形式的电容效应。下面利用图1--12中P区一侧载流子的浓度分布曲线来说明。 图1–12 P区少子浓度分布曲线 同理，在N区一侧，非平衡空穴的浓度也有类似的分布和同样的变化，引起存贮电荷的增加量ΔQp。这种外加电压改变引起扩散区内存贮电荷量变化的特性，就是电容效应，称为扩散电容，用CD表示。 如果引起ΔQn,Δ Qp的电压变化量为Δu，则 (1–6) 对PN+结，可以忽略ΔQp/Δu项。经理论分析可得 式中：τn为P区非平衡电子的平均命；I为PN结电流，由式(1–4)确定。 由式(1–5)、(1–6)可知，CT、CD都随外加电压的变化而