聚焦离子束微纳加工技术研讨.pptVIP

SIM工作原理：离子光学柱将离子束聚焦到样品表面，偏转系统使离子束在样品表面做光栅式扫描。电子信号检测器接收离子束扫描过程中与样品表面作用产生的二次电子或二次离子信号，调制屏幕亮度，反应出样品形貌。（对样品有损伤） FIB/SIMS原理：入射离子束轰击样品表面会产生二次离子，让入射离子束逐点逐层扫描，通过对二次电子的质谱分析就能够获得式样的二维或三维化学成分图。 FIB/SIMS优点：1.纵横 分辨率高 2.检测范围宽 3. 信噪比高 4.灵敏度高 5.可 区分同位素 缺点：1.难以量化测量 2. 样品要求苛刻 3.破坏样品 4.需要标样标定 5.入射离子 对测量有干扰 聚焦离子束的应用 扫描离子显微镜和二次离子质谱仪 离子束曝光 FIB诱导沉积应用 FIB溅射刻蚀加工 FIB无掩模离子注入 扫描离子显微镜和 二次离子质谱仪 + Thanks for your attention “ ” The Technology Of Focused Ion Beam (FIB) ——聚焦离子束微纳加工技术 邢卓 学号：2013202020072 指导老师：任峰 集成电路制造中的三束技术 电子束技术 光子束技术 离子束技术 具有极高的分辨率，可制作最细线宽5~8nm的图形，不能用于器件的批量生产，主要应用在掩膜的制造和器件的直接光刻方面。 主要包括紫外光刻(0.5~0.8μm器件)、准分子激光光刻（0.18~0.13μm器件)、极紫外光刻(35~65nm器件)、激光图形发射器(0.2μm线宽)和X射线光刻(90nm器件)等。 主要应用在：离子束刻蚀、离子束沉积、离子束诱导沉积、离子束注入、离子束曝光和离子束材料改性等方面。 聚焦离子束vs.常规离子束 常规离子束加工用离子源 1.热阴极大电流离子源 2.冷阴极放电离子源 3.高频放电离子源 4.双等离子体离子源 5.微波阴极离子源 6.电子束激励离子源 常规离子束技术 聚焦离子束技术 由定向或不定向的离子流对工件表面的面状轰击来达到加工目的的，轰击面直径可以从几毫米到几十厘米，在需要形成图形结构的场合，常规离子束技术必须采用掩膜。 由聚焦状态的离子探针对加工表面的点状轰击来达到加工目的的，轰击面的直径在纳米量级或微米量级。在需要形成图形结构的场合，必须由计算机控制束扫描器和束闸来实现 聚焦离子束加工用离子源 1.双等离子体离子源 2.气体场发射离子源 3.液态金属离子源 计算机控制系统 注入系统 电子检测 移动控制 真空系统 离子源 引出极 聚焦透镜 质量分析器 束闸 束对中 物镜 X-Y偏转器 气体注入口 X-Y工件台 真空泵 聚焦离子束系统 双束单光柱FIB-SEM 双束双光柱FIB-SEM 聚焦离子束系统 离子源 离子光学柱 束描画系统 X-Y工件台 信号采集处理单元 衡量标准：1.亮度 2.虚拟源尺寸 3.能散 4.工作稳定性 双等离子体离子源 亮度约为10A/(cm2·sr)，源典型尺寸为50μm，广泛应用于微细加工领域。 液态金属离子源 亮度高达106A/(cm2·sr)，源典型尺寸为50~100nm，发射稳定，满足亚微米量级要求 气态场发射离子源 亮度高达109A/(cm2·sr)，源典型尺寸为1nm，要求超高真空和低温环境。 离子源 双等离子体离子源 液态金属离子源 气态场发射离子源 聚焦离子束系统 离子源 X-Y工件台 束描画系统 离子光学柱 信号采集处理单元 离子源发射离子束进入到离子光学柱，经过整形、质量分析，最后聚焦到工件表面。离子光学柱中的主要部件有：静电透镜、消像散器、束对中单元、质量分析器、静电偏转闸和束偏转器。离子光学柱中还设置一系列限束光阑，用来阻挡离轴较远的离子。 对于合金液态金属离子源系统，必须安装离子质量分析器，用来选择所需要的的离子，而将不需要的元素离子阻挡掉。常用的是E×B离子质量分析器。 离子光学柱 N E×B 离子质量分析器工作原理 聚焦离子束系统 离子源 离子光学柱 束描画系统 X-Y工件台 信号采集处理单元 束描画系统由图形发生器、束偏转器和束闸组成。 图形发生器的功能是编制要制作的图形或接受用户的图形数据，形成FIB系统能识别的图形数据；根据图形加工要求对图形数据晶型处理和编制图形加工过程；控制束偏转器、束闸和X-Y工件台进行图形加工。 束偏转器有静电偏转器和磁偏转器。其主要作用是使离子束发生小角度偏转。 束闸通常是通过偏转离子束使其偏离安装在交叉斑附近的束闸光阑，达到截止离子束的目的。 束描画系统 聚焦离子束系统 离子源 离子光学柱 束描画系统 X-Y工件台 信号采集处理单元 X-Y工件台作用：承载需要加工的镜片；移动镜片实现扫描场的图形拼接；移动晶片实现整个晶片上的图形描画；进行标记检测，实现多层图形对准