11-第五章半导体存储器研讨.pptVIP

第五章 存储器系统 5.1半导体存储器5.2随机读写存储器RAM5.3只读存储器ROM5.4存储器与CPU的接口 5.1半导体存储器一、存储器的分类 （一）按工作时与CPU的联系紧密程度分类 内存： 可由CPU直接进行存取，存取速度快； 内存空间的大小受地址总线位数限制，8088内存空间为220 =1M 用来存放系统软件、参数、当前要运行的应用软件、数据 分成两个区域RAM——随机存储器 ROM——只读存储器，存放常驻系统软件 外存：外存不能由CPU直接访问，必须将信息调入内存才能访问 有软盘、硬盘、光盘等， 特点是：容量大、速度低 其他分类见书P108－110 （二）按存储器读写工作方式分类 随机存储器（随机存取方式两层含义）： 1、可按地址随机访问存储器中的任一单元。（表明CPU可以直接访问存储器的单元，CPU可以灵活的访问它所需要的数据、便于对数据进行加工处理） 2、访问各单元的时间与单元地址无关。（也就是说访问0号单元的时间与最高单元的时间是相同的，这样就可以用简单的数据指标来表示存储器的性能，便于时序安排） 只读存储器 半导体存储器 P108 RAM ROM 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） 掩膜式ROM（由生产厂家制造写入信息） 可编程PROM（用户只可写一次信息） EPROM（可擦除、改写10次） E2PROM（电可擦除、在线改写） Flash memory （三）存储器的分级结构 问题：存储容量的大小、存取速度的快慢、及价格的高低间的矛盾 解决方法：采用分级存储器结构，高级缓冲存储器、内存储器、外存储器 1、内存：存放CＰＵ当前使用的程序和数据 ，CPU是直接和内存打交道的 2、外存：存放大量CPU当前不需要使用的数据，CPU不直接与外存打交道 3、高速缓存：存放CPU在当前一小段时间内要使用的程序和数据，CPU是直接和高速缓存打交道的 二、半导体存储器的结构 存储矩阵：数以千计的基本存储电路在存储器中以矩阵形式按一定的顺序排列 P110 图5-2 半导体存储器的主要性能指标 : 1、存储容量/位容量：存储器可容纳的二进制代码的个数，一般可用能存储多少个字节来表示 表示方法一：存储容量/位容量＝单元数*字长 eg：1K*4：1024个存储单元，4位二进制数 1K*8：1024个存储单元，8位二进制数 (存储容量单位：B K M G T) 表示方法二：一般存储器是按字节编址的，即每个存储单元有8位，存放一个字节数据，那就用字节数来表示主存容量的大小 2、存取速度 5.2随机读写存储器RAM 目前广泛采用的是MOS型RAM：工艺简单、功耗低、成本低、集成度高。又分为静态RAM，动态RAM 一、静态RAM（SRAM） 常用的SRAM有6216（2K*8）、6264（8K*8）、62256（32K*8）;以6216为例（P112）：双列直插式，24引脚， 11根AB，8位DB，存储容量2K*8 使用时，A0~A10接CPU的地址总线、8位DB接CPU的数据总线、/CE、/WE、/OE接相应的控制信号 二、动态RAM（DRAM） 典型芯片4164:P114 常用的有：4116（16K*1），2164等 由于动态RAM有刷新时间，考虑刷新结构较复杂，而静态RAM不考虑刷新，结构简单，一般小容量数据存储器选用SRAM而大容量存储器才用DRAM。 5.3只读存储器ROM 常用的EPROM有：2716（2K*8）、2732（4K*8）、 2764（8K*8）、27128（16K*8）等 EPROM以2764为例（P118） EEPROM以2816为例（P120） FLASH MEMORRY 以AT29C512为例（P122） 5.4存储器与CPU的接口 在CPU访问存储器的操作中，必须考虑： ? 1．CPU通过总线与ROM，RAM及输入/输出接口相连接时的负载问题 2. CPU与存储器接口时，工作速度是否匹配 3．依系统要求存储容量选择相应的存储芯片接口时，其地址总线，数据总线，控制总线的具体连接方法 4．如何对存储器的存储单元进行地址分配 （1） CPU总线的负载能力 若总线上挂接的器件使MPU超载时，就要考虑总线的驱动问题，这时，需在总线上增加缓冲器和驱动器 在8088最小系统中，对地址总线、控制总线采用的是单向的缓冲器INTEL828