BJT的电流分配与放大原理研讨.pptVIP

Cb1, Cb2 ：耦合电容。（隔直滤交） 极性：把交流短路，直流电位高的端接电容之正极 ?：“ 地”。vi . v0 . VBB . VCC之公共端，又叫参考点，此点电位为0。 ? + ? + Cb1 Cb2 Vi 300k 12V 4k 12V VBB VCC RC RB V0 图3－14 二、简化电路 ? 取VBB = VCC。见图3－14(a) ? 省略电源VCC的符号，只标出VCC的非接地端的电压数值及极性。见图3－14(b) ? + Cb1 Cb2 300k? VCC Rc Rb 4k? 12V ? + IB vi v0 (a) Cb1 Rb 300k? Rc 4k? Cb2 +VCC IB IC e c +12V (b) v0 vi 图3－14 3.3 图解分析法 一、静态工作情况分析 静态：当放大电路vi=0时，电路中各处的电压、电流都为直流，称为直流工作状态或静止状态，简称静态。 静态工作点：静态下，IB、 IC、 VCE在管子特性曲线上有一确定的点，此点为静态工作点，又叫Q点。 动态：当放大电路输入信号后（vi?0），电路中各处的电压、电流处于变动状态，这时电路处于动态工作情况，简称动态。 1. 估算法确定静态工作点 见图3－14(b) VBE：硅管约为0.7V。 锗管约为0.2V。 一般 VCC VBE Cb1 Rb 300k? Rc 4k? Cb2 VCC IB IC e c 12V v0 vi 图3－14 (b) 2. 图解法确定静态工作点 图3－15 (a) ? + Cb1 300k? Rb vi VBB 12V VCC 12V 4k? Rc + ? vCE Cb2 + ? v0 iB iC 20?F 20?F 非线性电路部分 线性电路部分 显然， 既满足特性曲线，又要满足直线， ? 曲线和直线的交点即Q点。 ?思路： 左边为 IB= 40?A的一条特性曲线。iC与 vCE是非线性关系。 右边iC与 vCE是直线关系。 VCE = VCC?iC ? RC vCE(V) 0 2 4 6 8 10 12 100 iC(mA) 80 60 20 1 4 3 2 直流负载线 ? 步骤： a. 作三极管的输出特性曲线 图3－15(b) b. 作直流负载线 vCE =12 ? 4 iC c. 计算IB d. 确定Q点 IB =40?A所对应的特性曲线和直流负载线的交点即Q点。 IB = 40(?A) Q IC=1.5 M N 图3－16 ? + Cb1 300k? Rb vi VBB 12V VCC 12V 4k? Rc + ? vCE Cb2 + ? iB iC ? + vBE t t v0 t 二、动态工作情况分析 目的：得出v0与vi的相位关系和动态范围。 1. 放大电路接入正弦信号时的工作情况 vCE t iC v0 t vi iB §3.1 半导体BJT 一、BJT结构 图3－1 3AX22 低频锗 3AD6 低频大功率管 3DG6 高频硅 /6/80.html 图3－2 N 集电区 N 发射区 P 基区 e b c 集电结 发射结 集电极 发射极 基极 三区两结三极 下图是NPN管的结构及符号 e b c 图3－3 P 集电区 P 发射区 N 基区 e b c 集电结 发射结 集电极 发射极 基极 PNP管的结构及符号如下： 符号中的箭头表示BJT导通时的电流方向 b e c 二、 BJT的电流分配与放大原理 放大的条件： 内部条件： 发射区掺杂浓度高； 基区薄且掺杂浓度低。 外部条件： 发射结正偏； 集电结反偏。 N N P Je Jc V0?VEE V0+VCC 1. BJT内部载流子的传输 图3－4 b VEE IB e IE c VCC IC 电子流 图3－5 IB b VEE VCC e c IE IC N N P 电子流 ICBO InC 2. 电流分配关系 一个三极管制定后，发射区发射的电子传输到集电结所占比例一定，这个比例系数用?表示，称为共基极电流放大系数。 ? ? ?代入? 通常忽略 ICBO ?一般为 0.9 ~ 0.99 假设? =0.99，则发射100个电子，扩散99个，复合1个。 3. 共发射极连接方式 ? BJT的三种连接方式 a. 共基极连接 信号从e极输入，从集电极c输出。 图3－6 b. 共发射极连接：信号从b极输入，从c极输出 c. 共集电极连接：信号从b极输入，从e极输出 ? 共射连接方式的电流放大作用 a. 由于VBB、Rb的作用，发射结正偏。 由于VCC VBB ，调节Rc，使VCE VBE