罗丹明6G掺杂介孔的绪论.ppt

理解这领域的形成机理以及影响规律，比如掺杂染料的最大荧光浓度的调节和控制，修饰剂对其影响，微环境像孔径、比表面积以及金属掺杂物对其影响机理。 主要目的 Rh6G直接掺杂 Rh6G合成后掺杂 Rh6G和RhB之间的能量传递 RhB合成后掺杂 机理 4 the state of dye aggregation in mesoporous silica and explanation Rh6G常识性数据 染料基态二聚体在水中形成时浓度大约在10-5M，是通过呫吨环杂化轨道的π-π共轭体系形成；在浓度为10-4M时就不会有任何激光性能 在醇类中形成的二聚浓度达到0.1M时才会观察到染料二聚淬灭 Rh6G二聚体有两种类型，即三明治H-型二聚体和头对脚J-型二聚体。 研究染料掺杂在介孔薄膜里的聚集状态对发展可控固态发光装置有很好的指导作用。 二聚体结构示意图 4.1 Rh6G pre-doping method Rh6G以单体形式存在时紫外可见吸收谱峰值大约在530nm以及电子振动肩峰在低波长（约500nm）处 分子有轻微的溶质变色以及在极性溶液中吸收发生红移； 紫外可见吸收谱中H-型二聚体大约在505nm处，J-型二聚体在540nm处。 UV吸收谱图 4.1 Rh6G pre-doping method 激发谱中，525nm归属于Rh6G单体，谱峰红移归属于荧光J-型二聚体，谱峰蓝移归属于非荧光H-型二聚体。 Rh6G在介孔二氧化硅薄膜中荧光谱峰在550nm归属于单体的形成，红移大约在600nm归属于荧光J-型二聚体。 Rh6G荧光和激发光谱 4.1 Rh6G pre-doping method UV吸收谱图 表面活性剂浓度影响染料的聚合，浓度越高荧光越强且主要以J-型二聚体为主。这是因为表面活性剂更喜欢头对脚二聚体在胶团里形成，表面活性剂引进了一个有限制的环境，在这个环境下，H-型二聚体被扭曲进而导致倾斜J-型二聚体形成。 表面活性剂对Rh6G的影响 4.2 Rh6G post-doping method 染料浓度相同时，Rh6G在18.2nm基质中与5.4nm基质相比荧光强度要强5倍多，但经过30天后，18.2nm的混合物显著地下降，而5.4nm孔径却没有明显的变化，说明5.4nm的孔结构有很好的耐光性。虽然18.2nm孔径掺杂Rh6G更有效，但近一个月后介孔孔径在5.4nm有更好的耐光性。 孔尺寸对染料的影响 金粒子的影响 4.2 Rh6G post-doping method 用3-MPTS修饰介孔MCM-41后连接Au纳米粒子，最后掺杂Rh6G到介孔孔中研究表面能量传递。 当金纳米粒子存在时，Rh6G染料荧光谱强度戏剧性的猝灭。游离的金纳米粒子具有很高的荧光猝灭能力。 随着金纳米粒子的增加，染料的荧光猝灭也增加。 合成示意图 4.3 RhB post-doping method 当RhB/乙醇溶液浓度从1×10-3到1×10-4molL-1，而后减少到1×10-6molL-1时，荧光谱峰从611蓝移到593nm，最后到566nm，而单体荧光谱峰在565nm。 经修饰介孔二氧化硅后掺杂RhB都可观察到荧光蓝移 RhB的基本常识 不同主体基质对RhB的影响 (a) 1×10?3 mol L?1, (b) 1×10?4 mol L?1, (c) 1×10?6 mol L?1, solid PL of Rh B in(d) none porous silica, (e) SBA-15, (f) MCM-41, (g) KIT-6 are shown on the underside. 4.3 RhB post-doping method SBA-15、MCM-41和KIT-6依次发生显著地蓝移，表明分子结构和孔拓扑学对RhB的荧光特性有重要的影响。 染料荧光光谱在MCM-41（孔尺寸2.3nm）中蓝移要比SBA-15（孔尺寸8.7nm）做主体更短。而在KIT-6（孔尺寸8.8nm）情况下，其具有与SBA-15相似的孔尺寸但孔道是扭曲的，她的荧光谱图相比于SBA-15表现出更大的蓝移，这是由于染料分子在孔道中自由度的进一步降低导致。 4.3 RhB post-doping method RhB 在Ce、Fe和Cr掺杂的介孔MCM-48中 荧光谱图 蓝移分别为大约30nm、4nm和7nm表明铈在介孔中有与RhB分子发生强烈的相互作，改变了π-共轭体系，使RhB的最大发射峰发生较大的蓝移；4、7 nm,可解释为RhB与Fe3+, Cr6+ 发生弱的相互作用。 相对量子产率为 Si-MCM-48 Ce-MCM-48 Cr-MCM-48 Fe-MCM-48。这是由于金属离子（Fe3+, Cr6+）要比稀