嵌入式系统讲义4_存储系统即启动分析研讨.pptx

2017-4-6 1 4.1 存储系统概述 4.1.1 半导体存储器 4.1.2 存储器的性能指标 4.1.3 常用的几种存储器 2017-4-6 2 4.1.1 半导体存储器 作用 存放程序与数据 嵌入式系统存储器的特殊要求 集成度高、体积小、功耗低 发展趋势 片上集成 Why？——性能、可靠性、成本 片内存储器 VS 片外存储器 片内：速度快、容量小 片外：容量大、速度慢 2017-4-6 3 4.1.2 存储器的性能指标 性能指标 只读性 挥发性:掉电丢失与否有关 存储容量 速度 功耗 可靠性 2017-4-6 4 4.1.3 常用的几种存储器 SRAM（静态随机存储器） 存储密度小 6管结构，占用较大芯片面积 价格较高 功耗较高 容量较小 存取速度快 接口时序简单 2017-4-6 5 4.1.3 常用的几种存储器（续） DRAM（动态随机存储器） 存储密度大 单管结构 单位存储成本较低 功耗较低 容量较大 接口时序复杂 需要刷新电路 2017-4-6 6 4.1.3 常用的几种存储器（续） EEPROM 非挥发 存储密度小 单位存储成本较高 容量小 写入有限制，页写要等待 接口时序简单，一般采用串行接口 小量参数存储 2017-4-6 7 4.1.3 常用的几种存储器（续） Flash（闪存存储器） 非挥发 存储密度大 单位存储成本较低 容量大 接口时序复杂——需要擦除及Block写 NOR Flash NAND Flash 2017-4-6 8 4.1.3 常用的几种存储器（续） FRAM（铁电存储器） 非挥发 功耗低 读写速度快 接口时序简单 类似SRAM接口 成本高 2017-4-6 9 4.1.3 常用的几种存储器（续） 并行接口存储器 引脚数目多——三大总线 地址、控制总线 数据总线（8/16/32位） 存储容量大 适用于大容量存储场合 存取速度快 接口时序复杂，编程透明 2017-4-6 10 4.1.3 常用的几种存储器（续） 串行接口存储器 引脚数目极少 存储容量较小 适用于较小存储容量场合 存取速度较慢 使用串行接口通信，接口标准化，编程不透明 I2C、SPI 可以用软件通过GPIO模拟 2017-4-6 11 4.2 存储设备组织 4.2.1 存储器的结构 4.2.2 嵌入式系统存储器子系统 4.2.3 S5pv210的存储分配 2017-4-6 12 4.2.1 存储器的结构 2017-4-6 13 4.2.2 嵌入式系统存储器子系统 与通用计算机并无本质区别，但有自身特点 存储密度要求 功耗要求 片内集成存储器——彻底抛弃片外存储器 一般焊接在板子上，较少采用内存条 存储空间分配 嵌入式系统一般具有多种类型存储器 支持多种存储器扩展 接口灵活、可配置 S5PV210框图 2017-4-6 14 S5PV210来说，采用ContextA8架构，具有32KB的一级缓存（Cache）和512K的二级缓存。 S5PV210有一个96K的iRam和一个64K的iRom。iRom是拿来存放ContextA8的启动BL0的，在出厂的时候由生产商固化在里面，iRam是ContextA8的内部RAM，这个才是真正意义上的内存，BL0会把BL1拷贝到iRam中运行。S5PV210支持存储接口包括SRAM/ROM, OneNAND, SLC/MLC NAND, LPDDR1/LPDDR2/DDR2。 4.2.3 S5pv210的存储分配 2017-4-6 16 4.3 Flash接口 1 概述 2 Flash的操作 3 Flash存储器芯片 4 Flash存储器的应用 5 Flash驱动程序 2017-4-6 17 1 概述 主要目标是替代EEPROM 存储容量大 读取速度快 成本低 保护机制 不足之处 必须先擦除后写入 擦写速度较慢 必须以Block方式写入 2017-4-6 18 1 概述（续） NOR Flash——英特尔所发展的架构 随机读取任意单元的内容，读取速度较快，写入和擦除速度较低，可在单位块上直接进行数据的读写 应用程序可以直接在Flash内运行 常用于BIOS存储器和微控制器的内部程序存储器等 NAND Flash——东芝所发展的架构 读取速度较NOR Flash慢，写入和擦除速度要比NOR Flash快很多 在相同密度下，成本较NOR型低 适用于大容量存储装置（SSD、U盘） OneNAND OneNand是针对消费类电子和下一代移动手机市场而设计的，一种高可靠性嵌入式存储设备。由Samsung开发，支持更快速数据吞吐和更高的密度，这两点是满足高分辨率摄影、视频和其他媒体应用的两个主要要求。 OneNAND可看作NOR和NAND技术的一种混合。从本质上来讲，一个单独的OneNAND芯片集成