第六章：刻蚀研讨.pptVIP

4. 高密度等离子体反应离子刻蚀 传统的RIE系统不能满足小于0.25μm高深宽比图形的刻蚀要求，于是发展了高密度等离子体RIE系统。 高密度等离子体刻蚀系统有电子回旋振荡RIE系统、电感耦合等离子体RIE 系统、磁增强RIE系统等。 高密度等离子体的离化率达到10%而传统最大0.1% 反应器 第三个电极：ICP（Inductively Coupled Plasma）电极 优点：结构简单，成本低 三极平行板RIE反应器 ICP-RIE 刻蚀机 ICP部分 传片腔 高密度等离子体反应离子刻蚀的特点： 1）高刻蚀速率 等离子体中反应基密度大增加了刻蚀速率 2）高方向性 系统中引入磁场使反应离子具有高方向性，可获 得高深宽比的槽； 3）小轰击损伤 系统的自偏压低，反应离子的能量低，因而减小 对Si片表面的轰击损伤。 5. 终点检测 终点检测的常用方法：光发射谱法 光发射谱法终点检测机理： 在等离子体刻蚀中，反应基团与被刻蚀材料反应的同时，基团被激发并发出特定波长的光，利用带波长过滤器的探测器，探测等离子体中的反应基团发光强度的变化来检测刻蚀过程是否结束。 6.4 干法刻蚀的应用 刻蚀材料的种类：介质、硅和金属三类 ULSI对刻蚀的挑战 1. 大直径硅片（φ200mm以上）的刻蚀均匀性 2. 深亚微米特征尺寸、高深宽比（达到6：1）的 成功刻蚀 3. 对下层材料的高选择比（50：1） ULSI对刻蚀的要求 1. 对不需要刻蚀的材料（主要是光刻胶和下层材料） 的高选择比 2. 可接受产能的刻蚀速率 3. 好的侧壁剖面控制 4. 好的片内均匀性 5. 低的器件损伤 6. 宽的工艺窗口 介质的干法刻蚀 1. 氧化硅的刻蚀 工艺目的：刻蚀氧化硅通常是为了制作接触孔和通孔 工艺方法： 刻蚀气体：（CF4＋H2＋Ar＋He）或（CHF3 ＋Ar＋He） 刻蚀系统：平行板式或桶式RIE系统，0.25微米以下采用ICP－RIE系统 工作压力：≤0.1Torr，0.25微米以下≤10mTorr 刻蚀机理： 在RF作用下工艺气体分解电离： CHF3 ＋Ar＋He ＋3e→ CF3 + ＋ CF3 ＋ HF ＋ F ＋Ar+＋He+ CF3是刻蚀SiO2的主要活性基，与SiO2发生化学反应： 4CF3＋ 3SiO2 → 3SiF4 ↑＋ 2CO2 ↑＋ 2CO↑ 刻蚀机理（续）： 物理和化学混合刻蚀，物理刻蚀：Ar＋、CF3＋，化学刻蚀：CF3 H的作用：以HF的形式除去一些腐蚀Si的活性基（F原子）提高对下层Si的选择比 He的作用：做为稀释剂改善刻蚀均匀性 2. 氮化硅的刻蚀 工艺目的: 在CMOS工艺中，通常为了形成MOS器件的有源区和钝化窗口 工艺方法： 刻蚀气体：CF4＋O2＋N2 刻蚀系统：同氧化硅的刻蚀 工作压力：同氧化硅的刻蚀 刻蚀机理： 在RF作用下工艺气体分解电离： CF4 ＋O2＋N2 ＋3e→ CF3 + ＋ CF3 ＋ F ＋O+＋N+ F是主要活性基与Si3N4发生化学反应： 12F＋ Si3N4 → 3SiF4 ↑＋ 2N2↑ 物理和化学混合刻蚀，物理刻蚀：CF3＋，化学刻蚀：F O2/N2的作用:稀释F基的浓度降低对下层SiO2的刻蚀速率 硅的干法刻蚀 1. 多晶硅的刻蚀 工艺目的：在CMOS工艺中，形成MOS栅电极，是特征尺寸刻蚀。 工艺方法： 刻蚀气体：Cl2 ＋Ar 刻蚀系统：平行板式RIE或ICP-RIE系统 工作压力：小于0.1Torr，0.25微米以下≤10mTorr 刻蚀机理： 气体分解电离： Cl2 ＋Ar ＋2e→ Cl+ ＋ Cl＋Ar+ Cl活性基与Si化学反应： 4Cl ＋ Si→ SiCl4 ↑ 物理和化学混合刻蚀 为什么不用SF6等F基气体？ Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比 刻蚀要求： 在0.15微米技术中，刻蚀多晶硅对栅氧化硅的选择比大于 150：1，以防止栅氧化层穿通。 2. 单晶硅的刻蚀 工艺目的：主要形成IC的STI槽和垂直电容槽 工艺方法： 刻蚀气体： SF6 ＋Ar 刻蚀系统：平行板式ICP－RIE系统 工作压力：小于10mTorr 刻蚀机理： 物理和化学混合刻蚀 SF6是刻蚀硅的主气体 Ar产生物理刻蚀 单晶硅刻蚀的SEM照片 金属的干法刻蚀 1. Al的刻蚀 工艺目的：形成IC的金属互连 工艺方法： 刻蚀气体：Cl2＋BCl3＋CHF3 刻蚀系统：同氧化硅的刻蚀 工作压力：同氧化硅的刻蚀 刻蚀机理： 物理和化学混合刻蚀