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硼磷硅玻璃(BPSG) 氧化硅中掺磷、硼—硼磷硅玻璃(BPSG) 在淀积磷硅玻璃的反应气体中掺入硼烷， 可形成三元玻璃，是 、　 和　　 的三重化合物，称为硼磷硅玻璃(BPSG)。 表面平坦化所需回流温度比PSG( )以下； 　且回流可吸收碱性离子，固定可动杂质离子。 BPSG常用作金属淀积之前的金属与多晶硅之间的绝缘层ILD-1、钝化层及表面平坦化等。 一般在BPSG中，硼和磷的含量各占4％，回流温度800～950℃，比PSG降低300 ℃。 多晶硅掺杂 在淀积过程中，向反应混合气体中引入硼烷 、或砷烷 、或磷烷 等，可对淀积 　的多晶硅进行掺杂。 　　 在淀积多晶硅的同时进行掺杂，称为原位掺杂，即一步完成薄膜淀积和对薄膜的掺杂。　 　　 在大多数情况下，多晶硅采用非掺杂淀积。即在淀积后采用扩散或离子注入的方式进行掺杂。 应用：在许多电路或器件中，起着导体作用的带状多晶硅，需要采用掺杂的方式减小其电阻率；轻掺杂的多晶硅常用在存储单元、电容、薄膜晶体管中作为电阻。 §6.5 CVD质量测量与检查 CVD质量测量 主要质量参数： PECVD淀积氧化硅时，淀积高深宽比(3:1) 间隙时的空洞； 膜应力； 可导致膜开裂和分层；可在衬底传递硅缺 陷；可导致漏电流。 膜厚度； 厚度超出需要值。因素：时间和气流速率 折射率； 评价膜质量的好指标，其很大程度上依赖 于膜的组成（化学计量分析）。 CVD检查与排除 与膜相关的颗粒污染； 分析颗粒的位置可判断出颗粒的来源。 膜厚度； 　　 与设备和工艺有关，包括：温控、压力、系统 　功率或气体流动； 顶部静电卡绝缘介质的开裂(ESC)； ESC的热承载导致绝缘材料的腐蚀或开裂，会 　导致等离子体电火花或硅片被卡。 通常使用气体化合物来供给化学物质，而其最终生成物的化学键状态不同于源气体。 * * PVD的应用大都局限在金属膜的沉积上；而CVD几乎所有的半导体元件所需要的薄膜，不论是导体，半导体，或者绝缘介电材料，都可以沉积。 * SiH2：硅乙烯； Si2H6：乙硅烷 * * 硅片水平放置，量产受限； 在大气压状况下，气体分子彼此碰撞机率很高，因此很容易会发生气相反应，使得所沉积的薄膜中会包含微粒； 反应速度受多种因素影响，反应室尺寸、气体流速、硅片位置等都会影响速度； * 为了维持均匀的边界厚度，目的是为了得到相同的气流浓度。 * 冷壁：只有晶圆和晶圆基座加热。 * ?为气体粘度，?为气体密度； * ?为气体粘度，?为气体密度； * * 热壁：会导致淀积物质的损耗和颗粒的形成；会导致存贮效应；必须专用于某种特定薄 膜的淀积，且需要周期性的维护来去除反应腔内的颗粒。 * * 适当控制压力、温度并引入反应的蒸汽，经过足够长的时间，便可在硅表面淀积一层高纯度的多晶硅。 * 柱形多晶：多晶硅的结构由单晶硅的小核（或晶核）组成，单晶硅被晶核的边界分隔，这种结构称为柱形多晶。 * 硼的作用：降低回流温度，回流温度随硼含量的增加而降低； 磷：阻挡钠离子的作用 * 原位掺杂的过程较简单，但对薄膜厚度、掺杂的均匀性及淀积速率的控制变得相当复杂； 且还会影响薄膜的物理特性，影响多晶硅的结构、晶粒大小等； * TEOS—臭氧法淀积SiO2 APCVD的一种常用用途是用于TEOS与臭氧反应 淀积SiO2。 反应气体：TEOS( )和臭氧(O3)； 　　　　　　 N2输送 淀积温度：~400oC的低温； 反应系统：APCVD； 反应方程： by APCVD at ~ 400oC, and O3 will be carried by N2 APCVD Dielectric * High proportion of the total product use CVD Dielectric O2 O3 TEOS * TMP * TEOS Source CVD Chamber Transfer Chamber Gas Inlet Exhaust RF Power Wafer Metering Pump Inert Mixing Gas Process Gas Vaporizer Direct Liquid Injection Chemical Reactions Si(OC2H5)4 + 9 O3 ? SiO2 + 5 CO + 3 CO2 + 10 H2O Process