因特尔移动平台概述(至Ivybridge).pptVIP

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  • 2016-08-08 发布于重庆
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因特尔移动平台概述(至Ivybridge)

Intel Chief River平台概述 风刀叶作品(水平有限,权当娱乐) 笔记本电脑外观架构 基于技术的发展,目前intel的酷睿I系列cpu已经将北桥芯片集成在其中,所以目前的主板上,只有南桥芯片,上页介绍的北桥芯片已经成为历史 笔记本电脑LCD屏幕 LCD屏幕工艺 TFT, LED etc. 主流尺寸大小和解析度 用屏幕对角线尺寸定义大小 宽屏幕(16:9)和标准屏幕(4:3) 生产工艺 G3, 3.5, 4, 4.5, 5, 5.5, 6, 7, 8。越新的工艺可以生产更大的玻璃基板,更高的产能。 屏幕解析度 屏幕显示点阵密度的定义,更高的分辨率,和更高的字符dpi XGA, WXGA, SXGA, WXGA+ SPWG是定义LCD屏幕规格(结构,电器,性能)的国际组织 CBB (Common Building Block) - Intel推广笔记本零部件标准化通用化的努力,LCD是重要的部分。 笔记本电脑,让PC自由飞翔 PC的诞生源于人们对计算机小型化的需求,不过仅仅是可以放在桌面上使用显然是不够的,人们需要更具有移动性的PC,这便是笔记本电脑诞生的原因。人们在1975年到1985年之间不断进行尝试,从IBM 5100到IBM5155,这期间的移动式计算机还是太大,不能满足便携的要求,直到1985年,东芝公司推出的T1100,真正意义上的笔记本电脑才就此诞生,开创了PC的一个全新形态。 虽然1982年退出的笔记本电脑雏形中就使用过intel的处理器,但是intel一直到1996年,才开始针对笔记本电脑专门开发处理器产品。不过即便是到了奔腾4时代,移动处理器充其量只能算得上是桌面处理器的节能型号,在能耗比、电池续航方面远远不能满足用户的移动需求。直到2003年第一代迅驰平台的出现,笔记本电脑无专用“芯”的情况才成为了历史。 蝴蝶传说的开始---第一代迅驰平台 915芯片组、Dothan、533MHz---第二代迅驰平台 华丽的转身---第三代迅驰平台 蝴蝶飞了!---第四代迅驰平台 迅驰绝唱---第五代迅驰平台 迅驰2 Montevina 迅驰时代已经终结---Calpella平台 关键词:融合---Huron River 平台 Chief Riner平台四大革新 制程是什么? 强大的Chief River 有了先前的铺垫,我们现在来讨论22nm制程。在摩尔定律的指导下,从90纳米一直到32纳米,intel一直保持着架构-工艺的前进模式。然而到了22纳米,却遇到了困难---集成度的提升导致晶体管的尺寸进一步缩小,而过小的线宽直接导致了沉积金属栅极材料变得非常困难,甚至无法沉积。如何解决这个难题?Intel的研究人员想出了一个天马行空却又创意十足的点子——由平面转为三维,由单栅极转为三栅极,这正是Intel提出的22nm工艺中的核心技术——Tri-Gate Transistor(三门晶体管,通常称为三栅极晶体管或3-D晶体管),目前已经研发成功。 3-D晶体管的三大优势: 高性能 由于三个栅极的存在,而且源极/漏极也由平面转为了立体,因此当极限电压加在晶体管上时,三个栅极都会被电流所阻断,此时通过晶体管的总电流就是每个栅极交叉点的电流之和——在相同电压下,与32nm平面晶体管相比,3-D晶体管可以得到并驱动3倍的电流,整体效率提升20%。 显然,3-D晶体管还有一个好处在于工作电压可以降低,要得到与之前平面晶体管相同的电流量,你只需要理论上原来1/3的电压即可驱动相同的电流——工作电压能降得更低,同时栅极的开关速度也可以提高许多。在一份由英特尔高级院士马博主导的3-D晶体管技术特色演示视频中,Intel表示22nm工艺的3-D晶体管的开关速度相比32nm工艺提升幅度将达37%。 低功耗 衡量晶体管的功耗的一个重要指标之一就是电流泄漏量(漏电量),图13给出的是从65nm到22nm工艺进化过程中,晶体管的性能与漏电量的对比变化曲线。可以看出,随着制作工艺的进步,晶体管的漏电量逐渐降低,而性能逐渐增强。摩尔定律指指出,从一代到下一代的工艺,晶体管的漏电或者性能方面一定有所提升。图1表示从65nm到45nm再到32nm,再到22nm的曲线,这些曲线所代表的意思,就是说从一代到下一代,晶体管的漏电会更低,而性能更强大。从图2也可以看出,每一代工艺的进步带来的功耗下降大概都在50%左右。仔细观察曲线斜率的变化,你会发现从65nm到45nm再到32nm,曲线的变化几乎是线性的,斜率保持一致。而在32nm到22nm的转变中,功率与稳定性能的变化曲线斜率更低,这也意味着更低的功耗即可带来更强的性能。22nm工艺相比32nm,同比能耗下降幅度超过50

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