湘潭大学功能第7章半导体汇编.ppt

* 材料与光电物理学院 * 7.4.3CTR半导体陶瓷 负温度系数临界电阻CTR(Critical Temperature Resister)指具有负电阻突变特性，在某一温度下，电阻值随温度的增加急剧减小，具有很大的负温度系数。 是利用材料从半导体相转变到金属状态时电阻的急剧变化而制成，故称为急变温度热敏电阻。 其特性是其电流－电阻特性与温度有一定的依赖关系，在急变温度附近，电压峰值有很大的变化，因而具有温度开关特性。 * 材料与光电物理学院 * 主要构成材料是钒、钡、锶、磷等元素氧化物的混合烧结体，是半玻璃状的半导体，也称CTR为玻璃态热敏电阻。 骤变温度随添加锗、钨、钼等的氧化物而变。这是由于不同杂质的掺入，使氧化钒的晶格间隔不同造成的。若在适当的还原气氛中五氧化二钒变成二氧化钒，则电阻急变温度变大；若进一步还原为三氧化二钒，则急变消失。产生电阻急变的温度对应于半玻璃-半导体物性急变的位置，因此产生半导体-金属相移。 * 材料与光电物理学院 * 成份结构： 主要是以V2O5为基础的半导体陶瓷材料。 掺杂稀土氧化物来改善其性能。 应用： 所制得的传感器在火灾报警、温度报警方面有很大用途， 在固定温度控制和测温方面也有许多优点，其可靠性高，反应时间快。 * 材料与光电物理学院 * 7.4.4压敏半导体陶瓷 压敏半导体陶瓷是指材料所具有的电阻值，在一定电流范围内具有非线性可变特性的陶瓷，用这类陶瓷制成的元器件又称非线性电阻器。 它在某一临界电压下电阻值非常高，几乎无电流流过，当超过临界电压时，电阻急剧变低，随着电压的少许增加，电流会迅速增大。 * 材料与光电物理学院 * 代表：ZnO ZnO是一种由天然的红锌矿原料制出的六方晶系纤锌结构的氧化物，其化学键型处于离子键与共价键的中间键型状态。 这种结构的基础是氧离子以六角密堆的方式排列，而锌离子填入半数由O 2-紧密排列所形成的四面体空隙中，而O 2-密堆所形成的八面体空隙则是全空的，正负离子的配位数均为4。 * 材料与光电物理学院 * ZnO的许多性质，包括电性质，尤其是电导率主要来源于晶体的缺陷结构。 ZnO的纤锌矿晶体结构中存在大量易于容纳填隙锌离子的相当大尺寸的空隙，并且锌在ZnO晶体中的扩散系数比氧在ZnO中的扩散系数高。 * 材料与光电物理学院 * 机理： ZnO半导体陶瓷中存在晶粒和粒界层形成双肖特基势垒。在低电压区，I－V特性受粒界的热激发射电流效应控制，表现出电流饱和的高电阻性。当外加电压增加，反偏势垒的场强超过某一临界值后，粒界界面态中所俘获的电子以隧穿势垒的机制传输电子电流，使I－V特性曲线进入击穿区。 * 材料与光电物理学院 * 应用： 在过电压保护方面是十分重要的。ZnO避雷器可以用于由雷电引起的过电压和电路工作状态突变造成电压过高，使正常运行状态的过电压线路得到保护和稳压，防止设备遭受损坏。 * 材料与光电物理学院 * 半导体异质结：由两种不同半导体材料所组成的结，称为异质结。 超晶格：两种或两种以上不同材料的薄层周期性地交替生长，构成超晶格。 量子阱：当两个同样的异质结背对背接起来，构成一个量子阱。 7.5 半导体微结构材料 * 材料与光电物理学院 * 7.5.1 异质薄层材料 PN结是在一块半导体单晶中用掺杂的办法做成两个导电类型不同的部分。 一般PN结的两边是用同一种材料做成，称为同质结。 如把两种不同的半导体材料做成一块单晶，称异质结。 * 材料与光电物理学院 * 两种材料禁带宽度的不同以及其它特性的差异，使异质结具有一系列同质结所没有的特性，在器件设计上将得到某些同质结不能实现的功能，如在异质晶体管中用宽带一侧做发射极会得到很高的注入比，获得较高的放大倍数。 * 材料与光电物理学院 * 7.5.2 超晶格 超晶格结构就是PN结外延层在生长方向上的周期排列，在生长方向具有用期性结构。 它的晶格周期并不是取决于材料的晶格常数，而是取决于交替子层的重复周期(10nm)，与电子平均自由程相关的超晶格周期对于能否产生量子效应是一个重要参量。 * 材料与光电物理学院 * 超晶格的种类 1．组分超晶格 在超晶格结构中，如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄膜堆垛而成，则称为组分超晶格。 * 材料与光电物理学院 * 在组分超晶格中，由于构成超晶格的材料具有不同的禁带宽度，在异质界面处将发生能带的不连续。 * 材料与光电物理学院 * 在同一种半导体中，用交替地改变掺杂类型的方法做成的新型人造周期性半导体