CH3.2线缺陷(12级)分解.pptx

3.2 位 错 线缺陷的类型（刃型、螺型、混合型位错），刃型位错、螺型位错和混合位错的判断及其特征。 柏氏矢量的物理意义、主要特征，柏氏矢量与位错的关系。 位错运动及特性、滑移、(双)交滑移、多滑移、攀移、交割、割价、扭折、塞积 位错的应力场、应变能、线张力、作用在位错上的力 位错密度、位错源、位错生成、位错的增殖(F-R源、双交滑移机制等)、位错分解与合成、位错反应 全位错、不全位错、堆垛层错 本节主要内容 位错（dislocation）是一种线缺陷,它是晶体中某处一列或若干列原子发生了有规律错排现象；错排区是细长的管状畸变区,长度可达几百至几万个原子间距,宽仅几个原子间距。 线缺陷特征:在一维方向的尺寸较长，另外二维方向上尺寸很小，从宏观看缺陷是线状的。从微观角度看，位错是管状的。 位错概述 完整晶体滑移和实际晶体滑移：完整晶体滑移的理论剪切强度要远高于实际晶体滑移的对应强度，实验上所测得的临界切应力远小于计算值。理论值大了约1000~10000倍。从而促进了位错理论的产生和发展。 Orowan把晶体的滑移过程比喻为蠕虫的运动。 位错理论是上世纪材料科学最杰出成就之一。 晶体的理论切应力与实验值的比较（单位：MPa） 金属 理论切应力 实验值 切变模量 Al 3830 0.786 24400 Ag 3980 0.372 25000 Cu 6480 0.490 40700 α-Fe 11000 2.75 68950 Mg 2630 0.393 16400 ?位错的观察：浸蚀法、电境法 位错在晶体表面的露头 抛光后的试样在侵蚀时，由于易侵蚀而出现侵蚀坑，其特点是坑为规则的多边型且排列有一定规律。只能在晶粒较大，位错较少时才有明显效果。 薄膜透射电镜观察 将试样减薄到几十到数百个原子层(500nm以下)，利用透射电镜进行观察，可见到位错线。 位错的观察： 位错的观察： 方解石 石蜡 金刚砂 3.2.1 位错的基本类型和特征 位错的类型： 刃型位错（edge dislocation） 螺型位错（screw dislocation） 混合位错（mixed dislocation）可分解为刃型位错分量和螺型位错分量 1. 刃型位错 位错理论的产生 (2) 刃型位错的定义和立体图示 在某一水平面以上多出了垂直方向的原子面，犹如插入的刀刃一样，称为刃型位错线。位错线附近区域发生了原子错排，因此称为“刃型位错” 。 刃型位错线：多余半原子面与滑移面的交线。(链接) 晶体局部滑移造成的刃型位错 刃型位错立体示意图 （3）刃型位错特征： ① 刃型位错有一个额外的（多余）半原子面。正刃型位错用“⊥”表示，负刃型位错用“┬”表示；其正负只是相对而言。判断用右手定则：食指指向位错线方向，中指指向柏氏矢量方向，拇指指向多余半原子面方向。 ② 刃型位错线为晶体中已滑移区与未滑移区的边界线。刃型位错线不一定是直线，可以是直线、折线或曲线。刃型位错线与晶体移动方向、柏氏矢量垂直。但它必与滑移方向相垂直，也垂直于滑移矢量。 ③ 滑移面必须是同时包含有位错线和滑移矢量的平面。由于位错线与滑移矢量互相垂直,它们构成平面只有一个。 ④ 晶体中存在刃位错后,位错周围的点阵发生弹性畸变,既有正应变,也有负应变。点阵畸变相对于多余半原子面是左右对称的，其程度随距位错线距离增大而减小。就正刃型位错而言，上方晶体含有多余半原子面受压，原子间距小于正常点阵常数；下方晶体不含有多余半原子面受拉，原子间距大于正常点阵常数。负刃型位错与此相反。 ⑤ 在位错线周围的畸变区每个原子具有较大的平均能量。但该区只有几个原子间距宽，畸变区是一个狭长的管道。位错在晶体中引起的畸变在位错线中心处最大，随着离位错中心距离的增大，晶体的畸变逐渐减小。 2.螺型位错 (1)螺型位错的形成: 螺型位错示意图 (2)螺型位错的图示 晶体中已滑移区与未滑移区的边界线（即位错线）若平行于滑移方向，则在该处附近原子平面已扭曲为螺旋面，即位错线附近的原子是按螺旋形式排列的，这种晶体缺陷称为螺型位错（screw dislocation）。 (3)螺型位错的特点： ①螺型位错无额外的半原子面，原子错排成轴对称。 ②根据螺旋前进方向可以人为定义右旋螺型位错和左旋螺型位错；左、右旋分别用左(右)法则来判断：拇指指向螺旋前进的方向，而其余四指代表旋转方向，凡符合右手法则的称为右螺旋型位错，凡符合左手法则的称为左螺旋位错。 无论将晶体如何放置都不会改变其左、右的性质。 ③螺旋位错线与其滑移矢量平行，故纯螺位错只能是直线。且与位错线移动方向与晶体滑移方向垂直。 ④纯螺