封装课后习题讲义.docVIP

第一章 1、微电子封装技术分为哪几级？各级的定义是 什么？ 零级封装(晶片级的连接) 一级封装（单晶片或多个晶片组件或元件） 二级封装（印制电路板级的封装） 三级封装(整机的组装) 零级和一级封装称为电子封装（技术） 把二级和三级封装称为电子组装（技术） 2、芯片粘接主要有哪几种方法？具体如何实施？ (1)Au-Si合金法 固定支撑芯片的基板上涂金属化层(一般为Au或Pd-Ag)。在约370℃时，Au和Si有共熔点,根据Au-Si相图，该温度下Au和Si的比例为69:31。 (2)Pb-Sn合金片焊接法 芯片背面用Au层或Ni层均可，基板导体除Au、Pd-Ag外，还可用Cu；也应在保护气氛炉中烧结，烧结温度视Pb-Sn合金片的成分而定。 (3)导电胶粘接法 导电胶：含银而具有良好导热、导电性能的环氧树脂。 不要求芯片背面和基板具有金属化层，芯片粘接后，采用导电胶固化要求的温度和时间进行固化，可在洁净的烘箱中完成，操作简便。 第二章 芯片互连技术主要有哪几种？简述其工艺过程。 为了使芯片能与外界传送及接收信号，就必须在芯片的接触电极与框架的引脚之间，一个一个对应地用键合线连接起来。这个过程叫键合。 引线键合（WB）技术 将半导体芯片焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区用金属细丝连接起来的工艺技术。焊区金属一般为Au或Al，金属丝多是数十微米至数百微米直径的Au丝、Al丝和Si-Al丝。焊接方式主要有热压焊、超声键合(压）焊和金丝球焊。按键合点形状可分为楔形键合和球形键合。 载带自动焊（TAB）技术 是芯片引脚框架的一种互连工艺,首先在高聚物上做好元件引脚的导体图样,然后将晶片按其键合区对应放在上面，最后通过热电极一次将所有的引线进行键合。 （3）倒装焊(FCB) 倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。 在铝焊区上采用Au丝键合时对键合可靠性的影响？ 1.丝线表面要光滑和清洁以保证强度和防止丝线堵塞。 2.纯金具有很好的抗拉强度和延展率。 3.高纯金太软,一般加入约5-10ppm 的Be或者30-100ppm的Cu。 4.掺Be的引线强度一般要比掺Cu的高10-20% 。 写出丝球热压超声焊的工艺过程。 1. 热压焊 利用加热和加压力，使金属丝与Al或Au的金属焊区压焊在一起。 2. 超声焊(超声键合) 3. 金丝球焊 TAB的内引线焊接时应考虑的参数有哪些？ 焊接温度(T)、焊接压力(P)和焊接时间(t) 除此之外，焊头的平整度、平行度、焊接时的倾斜度及焊接界面的浸润性都会影响焊接结果。凸点高度的一致性和载带内引线厚度的一致性也影响焊接结果。 制作除Al以外其它金属芯片凸点时，其它各层金属的作用是什么？ 各种IC芯片的焊区金属均为Al，在焊区金属上制作各类凸点，除Al凸点外，其余材料均需在凸点下多层金属化，构成粘附层——阻挡层——导电层的多层金属化系统。各层金属的作用及常用材料为： ? 粘附层金属:粘附作用；数十纳米厚的Cr、Ti、Ni层。 ? 阻挡层金属:防止凸点金属越过粘附层与Al焊区形成脆性中间 金属化合物;数十至数百纳米厚的Pt、W、Pd、Mo、Cu、Ni层。 ? 凸点金属: 导电；Au、Cu、Ni、Pb-Sn、In等。 写出采用电镀法制作凸点的主要工艺过程。 FCB工艺方法主要有哪几种?各自关键技术是什么? (1)热压FCB法 (2)再流FCB法 (3)环氧树脂光固化FCB法 (4)各向异性导电胶FCB法 8、画出内部采用丝球键合的QFP封装结构，并指出各部分的名称。 ：插装元器件的封装形式主要有PDIP、PGA和HIC用的金属插装外壳封装 金属封装（TO）； 陶瓷封装（SIP）； 塑料封装（DIP） 为什么采用插装式形式封装的电子元器件越来越少？ 集成电路 (IC)，因为I/O引脚数越来越少，故大多采用贴装。 2.画出PDIP的封装的内部结构图，并指出各部分的名称。 画出TO型晶体管的结构图，并指出各部分的名称。 分析波峰焊焊接表面贴装式元器件时的问题，常用解决方法是什么？ (片式器件没有引脚，直接黏结在PCB上元件和PCB表面形成锐角，会出现“焊接死区”。在这些“焊接死区”易聚集着焊剂形成的气泡和焊剂残留物而出现漏焊或焊接不良。 (片式元件端焊头为Sn/Pb涂层，有良好可焊性，PCB表面的涂覆为电镀镍金或预热助焊剂，其助焊效果不如