第一章半导体中的电子状态技术分析.pptVIP

第一章 半导体中的电子状态 半导体中电子状态和能带 半导体中电子的运动和有效质量 半导体中载流子的产生及导电机构 半导体的能带结构 主要讨论半导体中电子的运动状态。介绍半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入有效质量的概念。阐述本征半导体的导电机构，引入空穴散射的概念。最后，介绍Si、Ge和GaAs的能带结构。 §1.1 半导体中的电子状态和能带的形成 一. 能带论的定性叙述 单电子近似——假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。 单电子近似结果直接表明孤立原子凝聚成为晶体时，其中的电子状态形成能带。 1. 孤立原子中的电子状态 主量子数n: 1,2,3,…… 角量子数 l：0，1，2，…（n－1） 磁量子数 ml：0，±1，±2，…±l 自旋量子数ms：±1/2 2.晶体中的电子 （1）电子运动 在晶体中，电子在整个晶体中作共有化运动。 电子由一个原子转移到相邻的原子上, 因而, 电子将可以在整个晶体中运动。电子共有化运动：由于相邻原子的“相似”电子壳层发生交叠，电子不再局限在某一个原子上而在整个晶体中的相似壳层间运动，引起相应的共有化运动。 (2)能级分裂 a.s能级 设有A、B两个原子 孤立时,波函数为ΨA和ΨB,不重叠. 简并度 = 状态/能级数 = 2/1 =2 A、B两原子相互靠近,电子波函数应是ΨA和ΨB的线性叠加: Ψ1 = ΨA + ψB →E1 Ψ2 = ΨA - ψB →E2 当有N个原子时： 相互之间隔的很远时,是N度简并的； 相互靠近组成晶体后，它们的能级便分裂成N个彼此靠得很近的能级，简并消失。这N个能级组成一个能带，称为允许带。 b. p能级（l=1, ml=0, ±1） 一个p能级对应三个状态，三度简并； N个孤立原子→3N度简并； N个原子组成晶体后→p能级分裂成3N个级。 c. d能级 N个原子组成晶体后，d能级分裂成5N个能级。 原子能级分裂为能带的示意图 能级的分裂：n个原子尚未结合成晶体时，每个能级都是n度简并的，当它们靠近结合成晶体后，每个电子都受到周围原子势场的作用，每个n度简并的能级都分裂成n个彼此相距很近的能级。 S能级：共有化运动弱，能级分裂晚，形成的能带窄 p、d能级：共有化运动强，能级分裂早，形成的能带宽 二、一维理想晶格的电子能带 1、一维理想晶格的势场和电子能量E（ｋ） 孤立原子的势场是： N个原子有规则的 沿x轴方向排列， 晶体的势能曲线为： 简化周期势场后： 在0xa 区间： V=0 其中 E为电子能量，mo 为电子质量 在-bx0区间： V=V0 电子的运动方程为： 其中： 为布洛赫函数, 是一个具有晶格周期的周期函数, n为任意整数, l为晶格周期。 | φ(x) | 2 = | φ (x+l) | 2 ——晶体中的电子作共有化运动 反映了周期势场对电子运动的影响，晶体中的电子在某一晶胞中的不同位置出现几率不同，而在不同的晶胞的各等价位置出现几率相同。平面波因子ei2πk·r表明晶体中的电子不再是局域化，而是扩展到整个晶体中。 半导体中的电子的状态和能带 自由电子具有波粒二象性，遵守定态薛定谔方程； （1-1） （1-2） （1-3） 晶体中的电子运动的波函数 （1-4） 其中 是与晶格周期相同的周期性函数，即 uk(x) = uk(x+na) （1-5） 所以 周期性变化，说明电子可以移动到其它晶胞的对应点，这就是共有化运动。不同k标志着不同的共有化运动。 布里渊区与能带： 能量E(k)不连续，形成了一系列的允带和禁带。允带出现在布里渊区 中，禁带则出现在 处，即能量E出现不连续而发生阶跃的布里渊区边界上。能量是k的周期函数： 2. 一维理想晶格中的电子态 第一布里渊区, 对应内壳层分裂的能级能量 第二布里渊区, 对应较高壳层分裂的能级能量 称第一布里渊区为简约布里渊区 允带、禁带的形成：同一能级