2016光电探测技术-第四章5.ppt

把这些方程合并起来 式中，对于半导体电阻材料， 方程(14)和(15)可用于偏置和辐射功率变化时,用数字方法计算时间与微测热辐射计温度的关系曲线，例如，可采用个人计算机对时间小增量δT的影响求和，可对大辐射信号功率的偏置脉冲下计算时间与微测热辐射计温度的关系。一旦计算出时间与微测热辐射计温度的关系曲线后便可推导出微测热辐射计的响应率。 (14) (15) 如需要的话， Q 可用斯蒂芬定律表示。 3.单片式硅微测热辐射计阵列 ④.测热辐射计中的噪声 影响微测热辐射计系统的噪声效应是： 微测热辐射计电阻的约翰逊(Johnson)噪声； 测热辐射计的偏置电阻产生的噪声； 测热辐射计的热电导噪声； 入射红外辐射的辐射噪声。 3.单片式硅微测热辐射计阵列 总的电学噪声 现在我们来把热、约翰逊和1/f电压噪声功率相加，就可写出带宽f1到f2 (测量带宽)时微测热辐射计两端总的平均平方电压噪声： (16) 3.单片式硅微测热辐射计阵列 电流噪声是 (17) 3.单片式硅微测热辐射计阵列 如方程( 16)、( 17 )的数字实例和表III ，我们计算了4V偏置时的下列情况 热电压噪声：0.4μV均方根值 约翰逊噪声：1.6μV均方根值 1/f电压噪声：2.0μV均方根值 总的电压噪声：2.6μV均方根值 总的电流噪声：65pA均方根值 每单位带宽的平均噪声：22 约翰逊噪声：13 低频热噪声：138 3.单片式硅微测热辐射计阵列 3.单片式硅微测热辐射计阵列 图12 采用表Ⅲ设定的参数计算出的均方根微测热辐射计电压噪声与偏置电流的关系曲线 3.单片式硅微测热辐射计阵列 信号和噪声表达式，我们可以写出几种不同形式的信噪比表达式 ⑤. 微测热辐射计的信噪比 噪声等效功率（ NEP ) 噪声等效温差（ NETD ) 3.单片式硅微测热辐射计阵列 我们把 NETD 定义为测热辐射计中产生等于总噪声信号的目标温度改变。用下列关系式可直接由 NEP 算出 NETD 探测率 假设对电压信号进行测量， D*就可定义为 3.单片式硅微测热辐射计阵列 ⑥. 二维微测热辐射计阵列的电子读出电路 每一行和列上的控制电压用于开关每一微测热辐射计上的电子像元开关，容许把脉冲施加到选定的微测热辐射计上，最终的偏置电路或电压由确定到达输出信号线的信号组成。 图13 通用形式的微测热辐射计读出电路 3.单片式硅微测热辐射计阵列 尺寸为64×64 ，帧速为30Hz时“小型”阵列，其含义包括“像元时间”为l/64×64×30=8.1 微秒。如果在任何情况下读出一个单独的微测热辐射计（叫做全串行读出），那么，每一个微测热辐射计在△t = 8.1微秒时都可施加偏置。合适的电路示于图13。在这种电路中，通过在合适的行和列金属化之间施加偏压Vb，使每一个微测热辐射计偏置继续8.1微秒。这样就把Vb-0.7的偏置施加到了微测热辐射计上(设在串联二极管两端的正向偏压降低是0.7V)。每个微测热辐射计的二极管起着“自关闭）像元开关的作用，这只有在施加上合适的电压时才起着这种作用。 3.单片式硅微测热辐射计阵列 选定的微测热辐射计列金属化保持接地电位起作作前放的作用，在每一偏置脉冲的间隙期间对电容器上的微恻热辐射计电流积分。积分工作把噪声带宽自动限制到最佳值1/2△t~62kHz。在每8.1微秒间隙结束时，通过即刻关闭开关S1使C上电荷放电。 3.单片式硅微测热辐射计阵列 实际上， 8.1分之几微秒的像元时间对信号积分并不是有用的。 图14 串行读出电路， Vb是施加到负载电阻上的偏压， C是电容，S1是开关。 3.单片式硅微测热辐射计阵列 这是因为开关电路会产生瞬时干扰，经验已经证明这种千扰是一种噪声，在积分开始前必须使这种噪声衰减到可忽略不计的电平。对于较大的阵列，整个串行读出的像元时间逐渐变短，以便这种瞬时衰减时间与像元时间的比值变得更大，当像元时间缩短时，这种性能方程式的试验还表明，偏置幅度必须增加以便把性能维持在既定的水平上。对大型阵列进行有效的全串行读出的偏置要求可达到单片式电路电压或电流的极限。 3.单片式硅微测热辐射计阵列 为避免大型阵列出现的这种困难，可采取同时进行读出的方式(叫做并行读出)以便使像元时间足够长。早期的240×336元的阵列使用14个同时偏置的微测热辐射计，焦平面输出的14个并行模拟信号进入14个外部积分器。这种多模拟信号输出电路提供了有效的信号读出方式，然而却遇到了实际困难，即摄像机中小的温度变化就会引起不同的积分器增益和误差改变，从而导致了视频显示时出现图型噪声。为了克服这种图型噪声可使用相匹配的单片式积分器，单片式多路传输器能输出来自焦平面的单个串行沟道积分信号。 3.单片式硅微测热辐射计阵列 采用先进的积分电路， 240×336元阵列的并行读出可扩大到