3半导体中载流子的统计分布.pptVIP

nx，ny，nz为整数 每个允许的能量状态在k空间中与由整数组（nx，ny，nz）决定的一个代表点（ kx，ky，kZ ）相对应 体积为1/V的一个立方体中有一个代表点，点密度为v 相对应在k空间中，如果计入电子的自旋，电子的允许量子态密度是 2×V 每个量子态最多容纳一个电子 一、球形等能面情况 假设导带底在k=0处，且 则 二、旋转椭球等能面情况： 导带底状态密度 §3.2 费米能级和载流子统计分布 2、费米能级EF的意义 T=0: fF(E) = 1, 当 EEF 时 fF(E) = 0, 当 EEF 时 T0: fF(E) 1/2 , 当EEF 时 fF(E) = 1/2, 当 E=EF 时 fF(E) 1/2, 当 EEF 时 EF的意义 二、波尔兹曼（Boltzmann）分布函数 费米统计律与波尔兹曼统计律的主要差别在于: 费米统计受泡利不相容原理的限制 在 E-EF》k0T 时 泡利原理失去作用，两者趋于一致 三、空穴的分布函数 f(E)表示能量为E的量子态被电子占据的几率，因而1-f(E)就是能量为E的量子态不被电子占据的几率，也就是被空穴占据的几率，故 EF-E》k0T时 为空穴的波尔兹曼分布函数，它表明当E远低于EF时，空穴占据能量为E的量子态的几率很小。即这些量子态都被电子占据了。 通常，EF位于禁带内，与导带底或价带顶的距离远大于k0T 对导带 导带中的电子分布服从波尔兹曼函数。随着能量E的增大， f(E) 迅速减小，所以导带中绝大多数电子分布在导带底附近。 对价带 价带中的空穴分布服从波尔兹曼函数。随着能量E的增大，1- f(E) 迅速增大，所以价带中绝大多数空穴分布在价带顶附近。 服从波尔兹曼分布的电子系统 非简并系统 相应的半导体 非简并半导体 四、导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 导带中电子浓度的计算步骤： 将导带分为无限多的无限小的能量间隔 dE间有dz=gc(E)dE个量子态 电子占据能量为E的量子态的几率是f(E) 在dE间有f(E)gc(E)dE个被电子占据的量子态 每个被占据的量子态上有一个电子 在dE间有 f(E)gc(E)dE 个电子 把所有的能量区间中的电子数相加就得到了能带中的电子总数 除以半导体的体积，就得到了导带中的电子浓度 单位体积的电子数n0和空穴数p0： 则 §3.3 本征半导体的载流子浓度 在热平衡态下，半导体是电中性的,即： n0=p0 （1） 容易得到本征半导体费米能级 上式中第二项小得多，故 Ef Ei 在禁带中线处 一般温度下，Si、Ge、GaAs等本征半导体的EF近似在禁带中央Ei，只有温度较高时，EF才会偏离Ei。 磷化铟是个例外 由（5）式可以看到： §3.4 杂质半导体的载流子浓度 一、杂质能级上的电子和空穴 施主浓度:ND 受主浓度: NA：（1）杂质能级上未离化的载流子浓度nD和pA ： 杂质能级与费米能级的相对位置反映了电子和空穴占据杂质能级的情况 EF远在ED之下时，施主杂质几乎全部电离 EF远在ED之上时，施主杂质基本没有电离 当ED 与EF重合时，施主杂质有1/3电离，2/3没电离 同理 EF远在EA之上时，受主杂质几乎全部电离 EF远在EA之下时，受主杂质基本没有电离 当EA 与EF重合时，受主杂质有1/3电离，2/3没电离 二、n型半导体的载流子浓度 假设只含一种n型杂质。在热平衡条件下，半导体是电中性的,电中性条件为: 则 n型Si中电子浓度n与温度T的关系： 1、杂质离化区 （1）低温弱电离区：特征： nD+ 《 ND p0 = 0 弱电离 （2）中间电离区 温度继续升高，当2NC ND后，ln(ND / 2NC) 0 费米能级降到(EC+ED) / 2 以下 当温度升高到 EF = ED时，则 施主杂质有1/3电离 （3）强电离区：特征：杂质基本全电离 nD+ ≌ ND电中性条件简化为 n0 = ND 决定杂质全电离 （nD+≧90%ND）的因素： 2、过渡区： 半导体