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工艺流程 D/B 焊接方式： a 压力共晶焊（Eutectic) 在一定的压力，时间和高温作用下，晶片背面的金和LDF表面的镀银加热到其共熔液相线区域，形成金银合金的铺金/浸润/熔湿(wetting)，并把芯片粘贴到LDF表面。 Wetting 435℃ 共晶焊接通常在热氮氢混合气的保护下进行 Forming Gas: 95%N2+5%H2 / 90%N2+10%H2 N2:保护气体 H2 :还原气体 优点：高效、快速 （Max UPH: 24k / hour) 缺点：浸润不良的结合(Poor Si-R)将导致空洞的存在使接合强度与热传导性降低，同时也会造成应力分布不均匀而导致晶片破裂损坏；只适用于较小Size的晶片焊接(通常Size ≤1.0mm)；高温导致吸嘴(Collet)的磨损加剧,寿命减短；高温会对某些晶片产品有损伤（如Moseft） 三要素：压力、时间、温度 b 银胶焊（Epoxy) 导电银胶：Silver paste (环氧树脂与70%的银粉） 非导电银胶：陶瓷填充物二氧化矽(silica) 、氮化硼(boron nitride)等或聚四氟乙烯(teflon)等高分子填充物粉粒 。 优点：高分子材料与铜框架LDF材料的的热膨胀系数相近，有助于减小芯片与LDF间的应力，热传导性及导电性好，可用于较大SIZE芯片 缺点：速度较慢 （UPH≤15 k/hour） 需要增加Curing工艺以固化银胶。 银迁移的现象和空洞（void）的存在 热稳定性不良与易导致有机成分的泄漏会影响封装 的可靠性 材料：LDF Index Hole 索引孔 Flag Strip 放置芯片的地方 Post Lead 引出端 Tie-Bar 连接柱 Runner 滑行架 Half Moon 半月孔 D/B机器组织结构 D/B工作步骤： Pick Up Timing Chart Pickup Setting(ColletNeedle) WB: 焊接方式： 1)热压(thermocompression bonding, T/C)（铝线焊接） 2)超声波热压接方式(thermosonic ultrasonic bonding, U/S T/S) 在一定的压力、超声和温度共同 作用一定时间下，将金球 压接在芯片的铝盘焊接表面(金丝球焊) 材料： 金线 20---100 um 铝线 Al-1wt%Si合金线 高纯度铝线 （20—50um） （100—500um） 铜线 20---80um 要素：压力、超声波、温度、时间 焊接过程 焊线产品的产品的可靠性测试： a、拉力测试 wire pull test b、球剪切测试 ball shear test Wire pull和ball shear测试数值大小与金线线径大小相关。金线 弧形的形状、高度及长短与整个封装产品的大小相关。对一样 的金线，不同的弧形会有不同的拉力、断点与耐冲击性，较长 弧形直接影响到molding时是否会有冲丝的现象，形成金线偏移 （wire sweep）；较短弧形易于焊接点及线弧产生较大应力， 造成接点的缺陷。 金线与铝垫的结合面，会有金-铝的介金属化合物生成，通常为AuAl2(紫色)与Au5Al2(白色)，这些介金属化合物特性脆硬，导电传热性能降低，影响可靠性，WB时应加以控制，如其过度成长，即形成紫班、白斑及彩虹现象 焊线结合的可靠度 一般情况下受应力变化、线材与封装的密封性及与焊接表面的 反应、腐蚀、介金属化合物的形成所导致的疲劳与潜变等因素 的影响。其中以介金属化合物的形成为焊线接合破坏最主要的 原因。 常见的介金属化合物有金线与铝垫接合界面所产生的 紫斑（Purple Plague,由AuAl2所造成） 白斑（White Plague,由Au5Al2所造成） 彩虹（两种介金属化合物共生） 此外，由于不同的焊接材料交互扩散过程中产生的Cratering孔 洞也是影响可靠度的重要原因，这是由于过度焊接引起。 由于材料反应对焊线结合的可靠度有重要影响，因此对结合时 间、温度等制程条件要加以妥善控制，以避免这些破坏因素的 形成 焊接因素对焊接可靠性的影响： 焊接温度 Temperature: LDF及焊垫的加热，辅助焊接，有利于 金线与焊材的结合，但过高的温度容易导致过度焊接及介金属 化合物的过度增长，形成紫斑、白斑、彩虹及凹坑等 焊接压力 Force :第一焊点球形的形成及第二焊点线尾的切断， 保