先进凝固技术(西工大)4.pptVIP

* 第4章 定向凝固中的温度场和溶质场 4.1 定向凝固中的溶质场和温度场 方程中左边为控制单元体的溶质变化，右边第一项和第二项为从x0位置处传入的溶质和从x0+?x传出的溶质，其中J(x0,?)为位置为x0，?时刻的溶质流量密度，而第三项为单元体中存在源或黑洞产生或消耗溶质的部分。 x0x1x0+?x; x0x2x0+?x ?x?0 J=J1+J2 J1=-D?c/?x (扩散造成的通量) J2=cV （对流造成的通量） q1=-D?C q2=CV 4.1.1 定向凝固中的温度场 忽略流动，仅考虑传热： 仅考虑一维传热： 采用FTA近似： 解的形式为： 边界及初始条件为： z=0, AS=T0 z=s, 一维定向凝固铸件中的温度场解析 不同凝固条件下的溶质分凝 溶质保守系统的一维定向凝固过程(a)和非溶质保守系统的区熔过程(b) （a) 平衡凝固的情况（Equilibrium freezing） 凝固足够慢，液相和固相都能充分扩散，没有成分梯度存在于固相和液相中。根据溶质守恒有： CSfS+CL(1-fS)=C0 CS[fS+(1-fS)/k0]=C0 CS=C0k0/(1+(k0-1)fS) 方程中CS为凝固的固相成分，C0为原始液相成分，k0为平衡溶质分布系数，fs为已凝固的固相分数，因此只要知道C0、k0就可以计算不同凝固位置fs下的成分Cs。 (b) 液相完全混合的情况 (Complete mixing) (c) 液相中没有混合的情况（No mixing） 界面处排出的成分只能通过液相扩散进行，而固相中无溶质扩散，则溶质达到稳态分布的情况 z’=z+Vt 边界条件： z=0，CL(0)=CS/k0；z=?，CL(?)=C0 液相中没有混合的情况（No mixing） 对流对溶质分凝的影响 边界条件： [CL(0)-CS]V+D[dCL(z)/dz]?z=0=0， z=0； CL(?)=C0, z=?； 部分混合的情况(Partial mixing) 图6-11 TiO2晶体中SiO2溶质在界面上的分布 初始过渡区到稳态过程中的溶质分凝 速度改变时液相溶质梯度的变化 以及溶质非稳态的演化过程(V2V1) (a)k0=0.5， (b) k0=0.1，(c) k0=0.01 (a)宏观状态 (b)外部 (c)内部 图6-21 (110)单晶Si面中掺杂Al溶质造成的宏观和微观生长条纹 B为籽晶旋转而A为籽晶不旋转的情况 非溶质保守系统 图6-30不同的非溶质保守系统工艺 图6-31非溶质保守系统中溶质分布 溶质分布（分配）系数 1、平衡溶质分布系数(k0) *