半导体材料物理 Chapter 6 pn 结.pptxVIP

Chapter Ⅵ：pn结基础 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.1 pn结定义：p型半导体和n型半导体结合的交界面。 是构成半导体器件的基本结构单元，每一个半导体器件都包含一 个或几个“结”，器件的特性与某个“结”的特性密切相关。 特指同一块半导体内p型区和n型区的交界面 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.1 pn结的制备工艺： 合金法-突变结 扩散法-缓变结 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.1 pn结中的杂质分布-突变结： n型区杂质浓度均匀，p型区受主杂质浓度也是均匀的； 交界面处杂质的浓度发生突变，从n型浓度突变到p型浓度；具有这种杂质分布的的pn结称为突变结。 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.1 pn结中的杂质分布-缓变结： 杂质分布不均匀，由扩散过程及杂质补偿决定； P区到n区的杂质浓度是渐变的，具有这种杂质分布特性的pn结称为缓变结。 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.1 pn结中的杂质分布-缓变结： 线性渐变结近似 ND-NA 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.2 空间电荷区 空穴与电离受主均匀相间分布，整体呈电中性 自由电子与电离施主均匀相间分布，整体呈电中性 pn结形成的瞬间，结区两侧存在载流子浓度梯度，会产生载流子的扩散运动！ 结区两侧载流子的扩散运动对pn结两侧半导体导电性质有何影响呢？ 多数载流子的扩散运动会否持续进行下去直至两侧的多子和少子浓 度达到平衡呢？ 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.2 空间电荷区 空间电荷区 内建电场 内建电场对多子运动的影响？ 内建电场对少子运动的影响？ 促进少子漂移运动 阻碍多子扩散运动 多子扩散运动越强，内建电场也将扩展增强，继而少子的漂移运动也将增强！——最终二者的运动达到平衡，结区无电流，呈平衡态！ n区，有多少电子扩散到p区，就有多少电子从p区漂移回n区！ 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.2 小结 浓度差 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.3 pn结能带图 平衡pn结的能带图 结合成pn结后，电子从费米能级高的n区流向费米能级低的p区，空穴则从p区流向n区，因而EFn不断下移,EFp不断上移，直至EFn=EFp。 势垒的大小？ 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.3 pn结能带图 势垒的大小即为载流子（电子、空穴）跨越内建电场所需克服的电势能qVD ！ 势垒产生的根本原因：内建电场的存在。 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.3 pn结能带的计算 一维下，电子总电流为密度为 联立①②则有 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.4 接触电势差 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.4 接触电势差 一定温度下，接触电势差与禁带宽度的关系？ 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.5 平衡pn结中载流子的分布 p区的电子比n区电子势能高 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.5 平衡pn结中载流子的分布 则x处的电子浓度为 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.5 平衡pn结中载流子的分布 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.5 平衡pn结中载流子的分布 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.5 平衡pn结中载流子的分布 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.5 平衡pn结中载流子的分布 室温下，势垒区内杂质基本已电离，但载流子浓度远小于p区和n区多数载流子浓度，效果上看似乎已经耗尽了，故而势垒区也称为耗尽层。在此之中载流子浓度可以忽略。 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 6.1.5 平衡pn结中载流子的分布 例1：若pn结势垒区某处的电势能比导带底Ecn高0.1eV，求该处的电子浓度。 例2：若该pn结的势垒高度为0.7eV，求该处的空穴浓度。 qV(x)=0.6eV 小结 6.1 pn结及其能带——pn结的形成及能带 ? 6.2 pn结的电流电压特性 6.2.1 非平衡状态下的pn结 1.外加电压下，pn结势垒的变化 正向偏压时(+V)的势垒变化 反向偏压时(-V)的势垒变化 6.2 pn结的电流电压特性 6.2.1 非平衡状态下的pn结 2.外加电压对pn结附近载流子运动的影响——以正向偏压为例 正向偏压作用下，结区载流子的扩散运动和漂移运动将被打破：扩散运动加剧而漂移运动被抑制，扩散流大于漂移流，同时空间电荷区变小。总体效果相当于向结区右边