半导体物理-本科-第2-3章.pptxVIP

半导体物理 2014年2 第一章 半导体材料的成分与结构 半导体材料：半导体材料是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的一种材料。但是，导电能力介于导体与绝缘体之间的材料不一定是半导体材料。 半导体材料：绝对0度时导带全空、价带全满，且禁带宽度大于0小于5eV左右的固体材料（以前3eV）。 半导体材料 第一节 半导体材料的分类 按成分分类。 按结构分类。 按功能分类。 半导体—按成分分类 半导体材料--按结构分类 半导体材料-按功能分类 分类名称 功能 电子材料 用于制造各种分立电子器件及集成电路的材料。 光电子材料 用于制造光传导、运算、转换、存储等功能的材料。 发光材料 用于制造半导体发光器件的材料。 敏感半导体 用于制造气敏、磁敏、力敏、色敏、热敏、光敏、高能辐探探测射器件的材料。 第二节 半导体的晶体结构 空间点阵 基元 基矢 结点 晶体结构 原胞 维格纳-赛茨单胞 布喇菲格子 复式格子 空间点阵 7大晶系。 14种布拉菲格子。 半导体材料：立方六角 晶体的对称性 平移对称性。 转动对称性。 镜面对称性。 反演对称性。 晶体的许多性质在很大程度上取决于晶体的对称性。 晶体中原子的结合状态 原子间电荷转移量为： 这里 分别为原子c1和原子c2的电负性。 晶体中的键合形式 轨道杂化 原子在结合成晶体时为降低总能量导致不同的电子轨道相互混杂的一种现象。 在金刚石，碳原子通过s电子与p电子的轨道杂化，形成(1s)2(2s)2(2p)2?(1s) 2(2s) 1(2p)3转变，导致四个价电子等价，即sp3杂化。 在石墨中，一个s电子与两个p电子发生sp2杂化，平面内的三个价电子等同，另一个s电子可以自由移动，因此面之间连接较弱，仅靠范德瓦尔斯力维持。同时，由于存在一个可以自由电子，电导率较高。 其他晶体结构术语 晶面。 晶向。 晶面间距。 倒格矢。 费米面。 衍射斑点。 晶格振动。 金刚石结构 锗与硅的外围电子与C的相同，一般以金刚石结构存在（即sp3杂化）。金刚石结构实际上是两套面心立方结构套构的复式格子。位于顶角及面心的格点为一套面心立方格子，而位于对角线距顶角1/4对角线处的四个原子为另一一套面心立方格子。两套格子沿对角线移动1/4对角线长度。因此，一个格点或基元分别包含两个硅原子或锗原子。 金刚石结构 闪锌矿结构 与金刚石结构相似，闪锌矿结构也是一种由面心立方构成的复式格子，但两套格子中的原子不同。 例如ZnS中，一套各种为Zn原子，另一套为S原子。 阴离子位于立方面心格子的格点位置，而阳离子分布于立方体内阴离子构成的正四面体的中心。 原子排列方式 从密集堆积面（111）看，闪锌矿的原子排列方式为：AaBbCc。 其中大写字母表示阴离子，小写字母表示处于阴离子构成的正四面体中心的阳离子。 特点 轨道杂化：轨道具有明确的方向性，因此硬度高、脆性大。 金刚石结构中原之之间为共价键，没有电荷转移。 闪锌矿结构中，既有轨道杂化，又有原子间的电荷转移，原子间的键为离子键与共价键组成的混合键。电子云的分布不对称分布，偏向阴离子。 闪锌矿结构中离子键成分与共价键成分的比值在很大程度上决定了化合物的半导体性质。 一般来说，离子键成分大，则化合物的禁带宽度宽，半导体特性不明显；相反若化合物的离子键成分越小，则相应的禁带宽度窄，半导体特性明显。 常见金刚石和闪锌矿结构 金刚石结构：金刚石，Si，Ge。 闪锌矿结构：ZnS，GaAs， InP， GaSb， InAs， AlAs， AlSb， SiC， CdS， AgI，BN，CuBr，CuF和HgTe等。 纤锌矿结构 纤锌矿型结构为六方晶系。 阳离子和阴离子的配位数都是4。 阴离子按六方紧密堆积排列，阳离子填充于1/2的由阴离子构成的四面体空隙中。 从密集堆积面（0001）看，纤锌矿的原子排列方式为：AaBbAa。 第二章 晶体中电子的能带 泡里不相容原理：一个状态只能容纳一个电子。 根据泡里不相容原理，双电子系统中电子的基态能量与一个电子单独存在时的状态不能相同，因此能量要么增加，要么下降，导致能级分裂。 能带的形成 于此类推，系统内的电子数目越多，则能级分裂也越多。 当原子按一定的规则组成固体时，原子的外层电子成为固体中的价电子。由于固体中价电子数目巨大，因此最外层的价电子能级往往分裂成许多间隔很小的能级，一般情况下可近似为一个连续分布的能带。 固体中外层电子的能带 禁带宽度 晶体中电子的波函数 自由电子：eikx。 晶体场：U(x) 。 晶体中的电子：U(x)(eikx)。 晶体中电子的能带：E-K图 晶体 自由电子 简约能带图和完全能带图 简约能带图 直接能带 导带极小值与价带极大值在同一波矢位置。 间接能带 导带极小值与价带