半导体物理2013(第二章).pptVIP

一、二章测验 1.请写出两章中至少5个重要的概念名称。 2.某三维各向异性的半导体材料，导带底能量为Ec，导带极小值位于(0,k0y,0)处，请自己定义其电子有效质量，并描写出导带底附近的E(k)～k关系式。 3.在某半导体材料中同时均匀地掺入2×1017cm-3的砷原子和1×1017cm-3的硼原子，回答以下问题： ⑴材料是N型还是P型半导体？画出能带示意图。 ⑵若该半导体的禁带宽度为0.67eV,请描述出其导带底附近的能带结构特点。 4.在PbS化合物半导体材料中，若分别存在VPb、Vs、Pb间隙原子和S间隙原子时，材料的导电类型各是什么情况？ * * 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 理想半导体： 1、原子严格地周期性排列，晶体具有完整的晶格结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。由本征激发提供载流子 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。 实际材料中 1、总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应的能级常常处在禁带中，对半导体的性质起着决定性的影响。 2、杂质电离提供载流子。 晶体中杂质来源 由于纯度有限，半导体原材料所含有的杂质 半导体单晶制备和器件制作过程中的污染 为改变半导体的性质，在器件制作过程中有目的掺入的某些特定的化学元素原子 §2.1.1 硅锗晶体中的杂质能级 杂质原子进入半导体后，以两种方式存在 一种方式是杂质原子位于品格原子间的间隙位置，常称为间隙式杂质（A） 另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，常称为替位式杂质（B） 间隙式杂质和替位式杂质 §2.1 半导体中的杂质能级 两种杂质特点： 间隙式杂质原子小于晶体原子 替位式杂质： 1）杂质原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较相近 2）价电子壳层结构比较相近 如：III、V族元素在硅、锗中均为替位式杂质 杂质浓度：单位体积内的杂质原子数 §2.1.1 硅锗晶体中的杂质能级 杂质和缺陷破坏了晶体的周期性势场，产生附加势场，从能带的角度来说就是在禁带中引入了各种杂质能级和缺陷能级。 §2.1.2 施主杂质 施主能级 施主杂质 像V族元素在硅、锗中电离时能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称此类杂质为施主杂质或n型杂质。 小概念：施主电离 束缚态和电离态 施主电离能 施主能级 n型半导体 以硅中掺磷P为例： 磷原子占据硅原子的位置。磷其中四个价电子与周围的四个硅原于形成共价键，还剩余一个多余的价电子，束缚在正电中心P＋的周围。价电子只要很少能量就可挣脱束缚，成为导电电子在晶格中自由运动这时磷原子就成为少了一个价电子的磷离子P＋，它是一个不能移动的正电中心。 §2.1.2 施主杂质 施主能级 施主杂质向导带释放电子的过程为施主电离 施主杂质未电离之前是电中性的称为中性态或束缚态；电离后成为正电中心称为离化态或电离态 使多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的最小能量称为施主电离能，施主电离能为ΔED 被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级，记为ED，。 施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为主要依靠导带电子导电的n型半导体（也称电子型半导体）。 §2.1.2 施主杂质 施主能级 §2.1.3 受主杂质 受主能级 受主杂质 像III族元素在硅、锗中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称此类杂质为受主杂质或p型杂质。 小概念：受主电离 受主电离能 受主能级 p型半导体 以硅中掺硼B为例： In原子占据硅原子的位置，与周围的四个硅原于形成共价键时还缺一个电子，就从别处夺取价电子，这就在Si形成了一个空穴。这时In原子就成为多了一个价电子的磷离子，它是一个不能移动的负电中心。空穴只要很少能量就可挣脱束缚，成为导电空穴在晶格中自由运动。 §2.1.3 受主杂质 受主能级 受主杂质释放空穴的过程称为受主电离 使空穴挣脱束缚成为导电空穴所需要的最小能量称为受主电离能，记为ΔEA 空穴被受主杂质束缚时的能量状态称为受主能级，记为EA 受主杂质电离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴，使半导体成为主要依靠空穴导电的p型半导体（也称空穴型半导体）。 §2.1.3 受主杂质 受主能级 §2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算 浅能级杂质：电离能小的杂质称为浅能级杂质。 所谓浅能级，是指施主能级靠近导带底，受主能级靠近价带顶。 室温下，掺杂浓度不很高的情况下，浅能级杂质几乎可以可以全部电离。 五价元