半导体物理与器件第六章2.pptVIP

半导体物理与器件 陈延湖 6.2 过剩载流子的性质 过剩载流子的时空分布满足半导体载流子的连续性方程 过剩电子和空穴的运动不是相互独立的，具有相同的有效迁移率和扩散系数，这种现象称为双极输运。 考虑电子空穴的相互关联，过剩电子和空穴的连续性方程可以变换为双极输运方程 连续性方程：空间中某微元体积内粒子数随时间的变化关系与流入流出该区域的粒子流密度及该区域内的产生复合的关系。 将x+dx处的粒子流密度进行泰勒展开，只取至一阶项得： 6.3 双极输运过程 在有外加电场存在的情况下，在半导体材料中的某处产生的过剩电子和空穴，那么过剩电子和空穴就会在外加电场的作用下朝着相反的方向漂移，由于这些过剩电子和空穴都是带电的载流子，因此其空间位置上的分离，就会在这两类载流子之间感应出内建电场 由于内建电场又会反过来产生了对过 剩电子和过剩空穴的吸引力，带负电电子和带正电空穴以单一迁移率或扩散系数一起漂移或扩散，这种现象称双极输运 上两式可以消去电场的散度项，连续性方程进一步简化为双极输运方程 上式通常称为双极输运方程，它描述了过剩电子浓度和过剩空穴浓度随着时间和空间的变化规律，其中： D’和μ’分别称为双极扩散系数和双极迁移率 由上述公式可见，双极扩散系数D’和双极迁移率μ’均为载流子浓度的函数，又因为载流子浓度n、p中都包含了过剩载流子的浓度δn ，因此双极输运方程中的双极扩散系数和双极迁移率都不是常数，由此可见，双极输运方程是一个非线性的微分方程。 对于非本征掺杂与小注入条件的情况，对于上述非线性的双极输运方程，我们可以利用非本征半导体材料和小注入条件来对其进行简化和线性化处理。 同理对于N型半导体材料来说，小注入条件下的双极输运方程同样可表示为： 在这种情况下，决定过剩载流子浓度随时间变化的方程主要有三个，第一个是泊松方程，即： 对电流方程求散度，并利用泊松方程： 例6.6 双极输运方程的应用 根据不同典型样品，求解稳态扩散方程： 过剩载流子浓度随着时间的指数衰减过程示意图 测量载流子迁移率，寿命等的实验--海因斯-肖克莱实验 综合例 一块掺杂施主浓度为2x1016/cm3的硅片，在920度下掺金到饱和浓度，然后经氧化等处理，最后此硅片的表面复合中心为1010/cm2。金空穴俘获系数为1.15x10-7cm3/s。求： ①计算体寿命，扩散长度。 ②如果用光照射硅片并被样品均匀吸收，电子-空穴对的产生率1017/cm3.s，表面复合速度为1.15x103cm/s，试求表面处的空穴浓度以及流向表面的空穴密度是多少。 非平衡载流子的注入： 非平衡载流子的寿命：非平衡过剩 载流子平均生存时间 连续性方程-双极输运 1稳态扩散方程 光照均匀掺杂的N型半导体表面，内部无电场，内部无其它产生因素时，小注入条件，双极输运方程即为稳态扩散方程 稳态 N型半导体，小注入双极输运方程为： 由工作条件知： 双极输运方程变为非平衡少子所遵循的稳态扩散方程： 通解: 扩散长度： （1）样品足够厚WLp ： 所以对厚样品可得： 若x=0处，光注入(?p)0 在对面界面上，?p=0，相当于： W＞＞Lp x hν 所以： x △p 0 Lp Lp称为扩散长度，标志着载流子深入样品的平均距离，它由扩散系数和载流子寿命决定。 该式说明非平衡载流子向内部按指数衰减 当 x=Lp时 非平衡载流子的平均扩散距离为 w 注入 抽出 (2) 薄样品，WLp 在x=w处，过剩少数载流子被强制为零（如电场抽取） 在x=0，注入(?p)0 由稳态分布解： 解出A,B可得稳态分布为： 当wLp时，稳态分布简化为： 说明此时，非平衡载流子呈线性分布，扩散流密度为： 上式说明扩散流为常数，这意味着非平衡载流子在样品中没有复合 在晶体管中，基区宽度远小于扩散长度，非平衡载流子通过基区时基本来不及复合。此时非平衡载流子的分布满足上述分布。 2 非平衡过程到达稳态过程中过剩载流子的时间函数（例6.3 ） 工作条件：均匀掺杂的N型半导体，产生率均匀，小注入，无外加电场 双极输运方程变为： 求解该方程可得 由工作条件知： ?p tc 0 ts t 3 从非平衡到热平衡态的过程中，过剩载流子的时间函数 （例6.2） 均匀掺杂的N型半导体，光均匀照在半导体上，小注入，其内部均匀地产生非平衡载流子，没有电场，内部也没有其它产生，求光照停止后的过剩载流子衰减方程。 N半导体，小注入双极输运方程为： 由工作条件知为均匀产生过剩载流子： 无电场则： 由内部无其它产生且在t=0时刻停止光照则： t=0，停止光照，则 A=?p（0） 双极输运方程变为： tc 0 ts t ?p 4