实验_上海2014一模试题汇编.docxVIP

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实验_上海2014一模试题汇编

实验汇编——2014年上海市一模考试(括号题目是原试卷中题号)崇明县(1-2,共2题)1、(14.)多用表调到欧姆档时,其内部等效电路下列那个是正确的 ( )ER0-+GR0-+R0GE-+R0G-+GER0(C)(B)(A)(D)A第24题2、(24.)如图为“研究电磁感应现象”的实验装置.如果在原线圈插入副线圈后保持不动,闭合电键时发现灵敏电流计的指针向右偏了一下,那么闭合电键后,下列情况下电流计指针偏转情况是 ( )(A) 将原线圈迅速从副线圈中拔出时,指针向左偏转一下(B) 保持电建闭合状态时,指针一直偏在零点右侧(C) 滑动变阻器触头迅速向左滑动时,指针向右偏转一下(D) 将原线圈内铁芯A快速拔出时,指针向左偏转一下奉贤区(3-6,共4题)3、(26.)(4分)(多选)如图所示“用DIS研究机械能守恒定律”实验装置.下列步骤正确的是:A.让摆锤自然下垂,调整标尺盘,使其竖直线与摆锤线平行B.将摆锤置于释放器内,释放杆进行伸缩调整,使摆锤的系线松弛一点便于摆锤释放C.调整光电门的位置,使光电门的接收孔与测量点位于同一水平面内D.将释放器先后置于A、B、C点,将光电门置于标尺盘的D点,分别测量释放器内的 摆锤由A、B、C三点静止释放摆到D点的势能和动能 第26题图 第27题图4、(27.)(6分)如图“利用单摆测重力加速度”的实验示意图.用一个磁性小球代替原先的摆球,为了磁性小球位于最低点时得到磁感应强度测量值最大,则磁传感器应放置在单摆的_________.图中磁传感器的引出端A应接到________.使单摆做小角度摆动,当某次磁感应强度为最大时,开始计数为“1”,连续数得磁感应强度最大值N个,共测得时间为t,则单摆周期的测量值为________(地磁场和磁传感器的影响可忽略). 5、(28.)(6分)如图所示“测电源的电动势和内电阻”的实验,接通开关,电压表有读数,电流表示数为零.改变变阻器滑片的位置,电流表也没有反应.用多用表电压档检查电路,把红表笔接到电池的正极,黑表笔分别接触电流表的正极(b点)和负极(c点),多用表电压档的示数均零;用黑表笔分别接触d点、e点,多用表电压档的示数均和电压表示数相等.检查各接线柱选择均正确且接触良好,则电路中发生故障的原因是_________________.故障排除后,根据测得的数据作出的U-I图像如图所示,由图像得出电源的电动势E=________V,内电阻r =___________. 第28题图 第29题图甲6、(29.)(8分)霍尔效应是电磁基本现象之一,在现代汽车上广泛应用霍尔器件:ABS系统中的速度传感器、汽车速度表等.如图甲所示,在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,在M、N间出现电压UH,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足UH=kIB/d,式中k为霍尔系数,由半导体材料的性质决定,d为薄片的厚度.利用霍尔效应可以测出磁场中某处的磁感应强度B.(1)为了便于改变电流方向作研究,设计如图乙所示的测量电路,均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从P端流入,Q端流出,应将掷向_________(填“a”或“b”),掷向________(填“c”或“d”). 第29题图乙(2)已知某半导体薄片厚度,霍尔系数为,保持待测磁场磁感应强度不变,改变电流的大小,测量相应的值,记录数据如表所示.I(×10-3A)3.06.09.012.015.018.0UH(×10-3V)1.11.93.44.56.26.8根据表中数据在给定区域内画出图线,利用图线求出待测磁场为________T.第29题图(3)(多选)利用上述方法,可以粗略测出磁场的分布.为了更精细测出磁场的分布,可采取的措施有( )A.选用厚度较薄的半导体薄片 B.选用厚度较厚的半导体薄片C.选用霍尔系数大的半导体薄片 D.增大电流强度 虹口区(7-11,共 5 题)7、(15.)如图所示为一种早期发电机的原理示意图,该发电机由固定的圆形线圈和一对用铁芯连接的圆柱形磁铁构成,两磁极相对于线圈平面对称。当磁极绕转轴匀速转动时,磁极中心在线圈平面上的投影沿圆弧MOP运动(O是线圈的中心)。在磁极的投影从M点运动到P点的过程中 ( )(A)流过电流表的电流由F指向E(B)流过电流表的电流先增大再减小(C)流过电流表的电流先减小再增大(D)流过电流表的电流先增大再减小,然后再增大、再减小 8、(26.)4分)(多选题)利用图示两个装置研究电磁感应现象。图(甲)中,将电键S闭合以后,电流表

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