模电复习201112.doc

第1部分 P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。 PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。 二极管的电流方程。 二极管的正向电阻小；反向电阻大。 二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大。 三极管是双极型器件，场效应管是单极型器件。 在低频电路中，三极管被看作电流控制型器件，场效应管被看作电压控制型器件。 三极管工作在放大区的外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。 电路中的耦合电容与旁路电容是造成低频段增益下降的主要因数。晶体管的PN结电容和分布电容是造成放大电路高频段增益下降的主要因数。 工作放大状态时BJT的管脚与类型判别：NPN —— UC UB UE，PNP ——UC UB UE。①中间电位对应管脚B；②NPN管中间电位靠近低电位UE；③ PNP管中间电位靠近高电位UE；④UB?UE≈0.7V为 Si-NPN管，UB?UE≈-0.3V为Ge-PNP管。例如：三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，则此三极管为NPN型硅三极管；各电极电位分别为-4V、-1.2V、-1.4V，则此三极管为PNP型锗三极管 三极管三个工作区偏置特点：饱和区发射结正偏，集电结正偏；放大区发射结正偏，集电结反偏；截止区发射结反偏，集电结反偏 共射极放大电路的Q点应选在交流负载线的中点, 如Q点偏离交流负载线的中点，输入幅度增大时易出现截止失真或饱和失真。如果交流输出波形正半周失真时为截止失真，负半周失真时为饱和失真。 放大电路级间耦合方式主要有直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合。 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是晶体管参数受温度影响和电源电压不稳定。 集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。其内部电路通常由四部分构成，分别是输入级采用差动放大电路；中间级采用共发射极放大电路；输出级采用功率放大电路；偏置电路采用电流源电路。输入级采用差动放大电路的原因是为了抑制温漂；中间级采用共发射极放大电路是为了增大放大倍数；输出级采用功率放大电路的原因是为使电路带负载能力强，最大不失真输出电压尽可能大；偏置电路为各级提供的合适的静态工作点，要求其静态电流稳定。 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的抑制共模信号能力增强。 共模抑制比KCMR等于差模放大倍数与共模放大倍数之比，KCMR越大，说明电路对共模信号的抑制能力越强。 根据三极管静态工作点Q在交流负载线上位置的不同，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。其中甲类功率放大电路的功率转换效率最低（25%以下），乙类的功率转换效率最大为78.5%。然而乙类功率放大电路产生严重的交越失真，为了消除交越失真常采用甲乙类电路。 负反馈技术可以改善放大器的一些交流性能，如可以提高放大倍数的稳定性，改变输入电阻和输出电阻，减少非线性失真，扩展频带，降低噪声。 为改善性能引入负反馈的一般原则：要稳定直流量引入直流负反馈；要稳定交流量引入交流负反馈；要稳定输出电压引入电压负反馈；要稳定输出电流引入电流负反馈；要增大输入电阻引入串联负反馈；要减小输入电阻引入并联负反馈。 电压负反馈稳定输出电压，使整个电路具有恒压源的输出特点，小；电流负反馈稳定输出电流，使整个电路具有恒流源的输出特点，大。串联负反馈，输入以电压形式来比较，大，宜采用内阻小的恒压源来作为信号源。并联负反馈，输入以电流形式来比较，小，宜采用内阻大的恒流源来作为信号源。 当运放工作在线性区时，“虚短”和“虚断”的概念是成立的，“虚短”和“虚断”是分析各种运放构成的线性电路的基本出发点或基本依据。 第二部分 已知，二极管导通电压。试画出与的波形。 解：当ui≥0时，D2截至； 当ui0时，D1截至； 0≤ ui ≤ 3.7，D1截至，uo=ui； -3.7≤ ui0，D2截至，uo=ui； 3.7 ui ≤ 5，D2导通，uo=3.7。 -5≤ ui-3.7，D2导通，uo=-3.7。 求Q点和动态参数 解： 求： 1）求静态工作点Q（IBQ，ICQ?，UCEQ?）； 2）画出放大电路的微变等效电路； 3）求电压放大倍数Au，源电压放大倍数Aus， 输入电阻Ri，输