武汉理工材料物理学9.ppt

第5章 导电物理 5.1概述 * 本章将介绍金属材料和半导体材料（也包括半导体陶瓷）的导电机制，着重从能带结构的角度分析材料的导电行为。本章还介绍了利用材料的导电物理特性制得的一些功能材料，例如p-n结、晶体管等。 本章提要 5.2材料的导电性能 5.4半导体物理 5.3金属电导 5.5 超导物理 2个学时 4个学时 4个学时 第5章 导电物理 2个学时 10个学时 5.4半导体物理 5.4.1半导体与p-n结 5.4.2半导体的物理效应 5.4.3能带理论在半导体中的应用 5.4.4半导体陶瓷的缺陷化学理论基础 2个学时 2个学时 2个学时 4个学时 5.4.1半导体与p-n结 5.4.1.1本征半导体与非本征半导体 纯硅和纯锗属于本征半导体。这里，“本征”是具有“原本特征”的意思。这些半导体的禁带Eg比较小，具有足够热能的电子能够越过禁带，从价带被激发到导带。被激发的电子原来占据的价带的能级上则留下一个空穴。 如果一个电子过来填充这个空穴，那么它原来的能级上又会出现一个空穴。所以空穴可以携带一个正电荷，空穴的移动也会产生电流。如果在半导体材料上加上电压，导带上的电子朝正极移动，价带上的空穴则向负极移动 图5.4-1在外加电压作用下,半导体中的电子在导带中移动,空穴则在价带中朝相反方向移动 本征半导体中，通过控制温度来控制载流子的数量及其导电性。在绝对零度时，所有的电子都处于价带，导带中的所有能级都是空的。当温度升高时，电子占据导带能级的可能性也增加，半导体的导电性也随之增加。半导体中的导电性与温度的这种关系刚好与金属相反。在金属中，导电性是随着温度升高而降低的。 在实际应用中，本征半导体由于两种载流子的数量相等，显示不出它们彼此的特性。所以不能用来制作晶体管之类的电子器件。但是本征半导体对光、射线、温度的作用非常敏感，使半导体的载流子数量随之发生明显变化，因此可用来制作一些探测器。 锗比硅容易提纯，所以最初发明的半导体三极管是锗制成的。但是，锗的禁带宽度（0.67eV）只有硅的禁带宽度（1.11eV）的大约一半，所以硅的电阻率比锗大，而且在较宽的禁带中能够更加有效地设置杂质能级，所以后来硅半导体逐渐取代了锗半导体。硅取代锗的另一个主要原因是在硅的表面能够形成一层极薄的SiO2绝缘膜，从而能够制备MOS型三极管。 除了硅和锗以外，还出现了像砷化镓（GaAs）这样由Ⅲ族元素和Ⅴ族元素组成的化合物半导体。在化合物半导体中，载流子的移动速率远远大于硅和锗，所以能够制备更加高速的大规模集成电路。 由于温度会影响本征半导体的导电性，所以很难严格控制本征半导体的性能。但是，如果在半导体材料中加入杂质，可以得到非本征半导体。非本征半导体的导电性主要取决于添加的杂质原子的数量，而在一定温度范围内与温度关系不大。 5.4.1.2n型半导体和p型半导体 如果在硅或锗中添加的施主是像锑或磷一样的5价元素，那么锑或磷中的4个价电子会参加共价键结合。富余的那个价电子有可能进入导带，参加导电。向本征半导体提供电子作为载流子的杂质元素称为施主。掺入了施主杂质的非本征半导体以负电荷（电子）作为载流子，所以称为n（negative，表示负电荷的意思）型半导体。 n型半导体 施主的富余价电子所处的杂质原子的电子能级低于半导体的导带。这个富余价电子并没有被施主原子束缚得很紧，只要有一个很小的能量Ed就可以使这个电子进入导带。施主的这个价电子进入导带后，不会在价带中产生空穴。随着温度的升高，越来越多的施主电子越过禁带Ed进入导带，最后所有的施主的电子都进入导带，此时称为施主耗尽。如果温度继续升高，电导率将维持一个常量。在更高的温度下，才会出现本征半导体产生的导电性。 图5.4-2n型半导体 a）掺杂 b）能级图 如果在硅或锗中添加的杂质是像镓（Ga）一样的3价元素，没有足够的电子参与共价键的结合。如果价带上的其他电子过来填充这个空穴，在价带上就会产生一个新的空穴，参加导电。向本征半导体提供空穴作为载流子的杂质元素称为受主。掺入了受主杂质的非本征半导体以正电荷（空穴）作为载流子，所以称为p（positive，表示正电荷的意思）型半导体。 价带上的电子只有获得能量Ea，才能跃迁上去填充受主的空穴而在价带上产生空穴。价带上的空穴可以移动，传导电流。 p型半导体 a）掺杂b）能级图 图5.4-3p型半导体 表5.4硅与锗中的施主能级Ed(eV)和受主的能级Ea(eV) 0.0112 0.160 In 0.0108 0.065 Ga 0.0102 0.057 Al 0.0104 0.045 B 0.0096 0.039 Sb 0.0127 0.049 As 0.0120 0.045 P 锗Ea 锗Ed 硅Ea 硅Ed 掺杂元素 图5.4.4半