电子感测技术的基础知识.ppt

电容的主要作用：储存电能。它由两片金属中间夹绝缘介质构成。电容的测量主要包括电容值与电容器损耗（通常用损耗因素D表示）两部分内容。 电感的主要作用：储存磁场能。它一般是用金属导线绕制而成。电感的测量主要包括电感量与损耗（通常用品质因素Q表示）两部分内容。 [训练任务5] 掌握阻抗的基本测量方法 L-R电路阻抗测量电路示意图 LX标称值为100uH，直流时损耗电阻0.3Ω，可以视为理想电感 幅度上的关系为 w = 2p? 、u和uR通过示波器测得，R和w已知 利用上式即可测得电感L的大小 可以测得从信号源端看进去的阻抗 电流i和电压u之间的相位差 设L-R电路以i的相位作为参考，i的相位0° i、u、uR、uL间的相位关系图 电感的基本特性是阻碍电流的变化,所以电流总是滞后电压90度。 C-R电路阻抗测量电路示意图 电容刚通电的时候电流达到最大,所以电流超前电压90度。 半导体管的检测原理： （1）PN结的单向导电性 （2）表棒极性原理（模拟表）略 1、数字式万用表检测 量程档：晶体管检测档 [训练任务6]二、三极管和MOS管极性判别 PN结的单向导电性 1. PN结加正向电压时的导电情况 外电场方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。耗尽层变薄， PN结呈现低阻性。 于是内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。 扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响。 P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏； 内 4 外 PN结的单向导电性 2. PN结加反向电压时的导电情况 外电场与PN结内电场方向相同，增强内电场。耗尽层变厚， PN结呈现高阻性。 内电场对多子扩散运动阻碍增强，扩散电流大大减小。少子在内电场的作用下形成的漂移电流加大。 此时PN结区少子漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流。 P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。 内 5 外 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 PN结的单向导电性 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散 电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 4 5 P113 MOSFET是四端器件，G（栅极）、D（漏极）、S（源极）、P（衬底），其中衬底P和S源极一般内部连在一起，因此外面看到的是G、D、S。 制作在P或N型衬底上，本质上S?D之间形成二极管。对于N沟MOSFET正极为S，负极为D，P沟相反。MOS管G与其他两极是绝缘的，与衬底形成栅电容。用万用表去探测G与D、S间的电阻因该是开路的。 计数法测量 fA fB 倍频器 分频器 门控 记数窄脉冲 主门 t=TA/a T=Nt N计数器 门控脉冲 T=bTB ×a ÷b 图3.14 计数法工作原理 门控宽脉冲 主门的两个输入分别是周期为t的计数窄脉冲，以及周期为T的门控脉冲。 [训练任务7]掌握计数法测量频率和周期的方法 t＝TA/a 倍频器(×a)： t 0 UA 分频器(÷b)： t 0 UB t 0 UB T＝bTB t 0 UA 门控：控制主门开、关时间 主门：完成计数的闸门 计数器：计数、记录、显示 T＝Nt T N 四块电路三端口，二入一出经主门， 宽控开关窄计数，越宽越窄高精度。 fA fB 倍频器 分频器 门控 记数窄脉冲 主门 t=TA/a T=Nt N计数器 门控脉冲 T=bTB ×a ÷b 图3.14 计数法工作原理 门控宽脉冲 ×a ÷b 门控 1、测量频率fX fX fC 放大整形 门控 主门 TX/a bTc=NTx/a bTC × a ÷ b 图3.15 测量频率fX 分频器 fX：被测频率 fC：晶震的固有频率（已知） b：分频系数（已知） a： 倍频系数（已知） 2、测量周期TX fC 倍频器 门控 主门 Tc/a bTx=NTc/a × a ÷ b bTx Tx 整形放大器 图3.16 测量周期TX TX：被测周期 fC：晶震的固有频率（已知） b： 分频系数（已知） a： 倍频系数（已知） 主门的输出是在T内的N个窄脉冲，即T=Nt 计数器的量化误差：用其相对误差表示。 门控信号 时标 被计时标数 [训练任务6]熟悉测量误差和中界频率的求法 数字电路的绝对误差： ΔN =±1 相对误差： 门控脉冲越宽（b≥1，fB越小）,计数脉冲越窄（a ≥1，fA越大），量化误差（△N/N）越小。 （1）测fX时 *相对误差： 晶振的频稳度 *量化误差： 被测频率fX越高，门控脉冲bTC越宽，测量误差越小。 （2）测