器件 名词翻译.docVIP

abrupt junction：突变结； Accumulation ：积累 Aging：老化 alignment：校准 Anneal：退火 avalanche breakdown：雪崩击穿 back-gate：背栅 ballistic transport：弹道输运； body Effect：体效应，衬底偏置效应，衬偏效应 Bonding：键合 breakdown：击穿 Buried channels：埋沟 cat’s whisker detector：触须式检波器 channel length modulation：沟道长度调制； chip: 芯片 computer-aided design CAD ：计算机辅助设计 CVD chemical vapor deposition ：化学气相淀积 Dangling bond: 悬挂键 dangling silicon bond ：悬挂键； deep submicrometer：深亚微米； degradation：退化； Degrade：退化 dehydration：脱水 Depletion-mode： 耗尽型器件 deposited uniformly：均匀淀积 deposited uniformly：均匀淀积； development：显影 DIBL drain-induced barrier lowering ：漏至势垒降低效应； die: 裸片 dielectric constant：介电常数 dielectric constant：介电常数； Dielectric：电介质 Diffusion：扩散 DMOS double-diffused MOS ：双扩散MOS dopant：掺杂剂 doping fluctuations：掺杂工艺的波动 Drain：漏（区） Electrode：电极 Electron affinity ：电子亲和能 electron beam lithographic：电子束光刻 Energy-bands： 能带图 Enhancement-mode：增强型 EOT（equivalent oxide thickness）：等效氧化层厚度； epitaxial：外延； epitaxially grown 外延生长； etch stencil ：刻蚀模板 etch：刻蚀 Field oxide ：场氧化层 Field oxide：场氧化层 Flat-Band Voltage ：平带电压 Flat-Band Voltage 平带电压 floating body：体区浮置 gate dielectric：栅介质 gate stack：栅叠层 GIDL gate-induced drain leakage ：栅感应漏电效应； gradual-channel approximation：渐近沟道近似 Hot Carriers Effect：热载流子效应 hot-carrier effects: 热载流子效应； impact ionization：碰撞电离； induced electric field：感生电场 Interconnection：互联 interface state：表面态； interface states：界面态 intrinsic Fermi level：本征费米能级 inversion layer：反型层 Ion Implantation：离子注入 kinetic energy：动能； latch-up ： 闩锁； latch-up：闩锁 lattice vibration：晶格振动； LDD（lightly doped drain）：轻掺杂漏； leakage current：泄漏电流 lithographic mask：光刻版； LOCOS（Local Oxidation of Silicon）：硅的局部氧化 Mask：掩模 Metallization：金属化 Metallurgical junction：冶金结 momentum：动量； MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ：场效应晶体管 nano-scale：纳米级； nonvolatile devices：非挥发性器件 nonvolatile devices：非挥发性器件 oxidation furnace ：氧化炉 Oxidation：氧化 oxide charges：氧化层电荷 Pattern: 样式，图形，集成电路设计中指版图 phonons：声子； photolithography：光刻 Photomasks：光学掩模 photoresist strip：剥离光刻胶 Photoresi