第1章1.4节 场效应三极管.ppt

* 第四节 场效应三极管 第四节 场效应三极管 结型场效应管 绝缘栅场效应管 场效应管的主要参数 下页 总目录 场效应三极管中参与导电的只有一种极性的载流子（多数载流子），故称为单极型三极管。 分类： 结型场效应管 绝缘栅场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 N沟道 P沟道 P沟道 下页 上页 首页 一、结型场效应管 1. 结构 N型沟道 耗尽层 G D S G D S P+ P+ N沟道结型场效应管的结构和符号 栅极 漏极 源极 下页 上页 首页 2. 工作原理 UGS = 0 UGS 0 UGS = UGS(off) ⑴ 当UDS = 0 时， UGS 对耗尽层和导电沟道的影响。 ID=0 ID=0 下页 上页 首页 N型沟道 G D S P+ P+ N型沟道 G D S P+ P+ G D S P+ P+ IS = ID ID IS ID IS UGS=0，UDG |UGS(off)| UGS 0，UDG | UGS(off)| ⑵. 当UDS ＞ 0 时， UGS 对耗尽层和 ID 的影响。 N P+ P+ VGG VDD G D S N P+ P+ VDD G D S 沟道较宽，ID 较大。 沟道变窄， ID 较小。 下页 上页 首页 N P+ P+ ID IS VGG VDD P+ P+ ID IS VGG VDD UGS 0，UDG= |UGS(off)|， UGS ≤ UP ，UDG | UGS(off)| ， ID ≈ 0， 导电沟道夹断。 ID更小， 导电沟道预夹断。 下页 上页 首页 动画 3. 特性曲线 ⑴. 转移特性 ID = f（UGS）|UDS=常数 G D S mA V V ID VGG VDD 场效应管特性曲线测试电路 Ｎ沟道结型场效应管转移特性　 IDSS UP 饱和漏极电流 栅源间加反向电压 UGS 0 利用场效应管输入电阻高的优点。 UGS/V ID/mA O 下页 上页 首页 ⑵. 漏极特性 ID=f（UDS）|UGS=常数 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 击穿区 |UGS(off)|8V IDSS UGS=0 -4 -2 -6 -8 ID/mA UDS/V O |UDS-UGS|= |UP| 可变电阻区： ID 与UDS 基本上线性关系， 但不同的UGS 其斜率不同。 恒流区：又称饱和区， ID 几乎与UDS 无关， ID 的值受UGS 控制。 N沟道结型场效应管的漏极特性 击穿区： 反向偏置的PN结被击穿， ID 电流突然增大。 夹断电压 下页 上页 首页 二、绝缘栅场效应管 1. N沟道增强型MOS场效应管 ⑴. 结构 P型衬底 N+ N+ B S G D SiO2 铝 P衬底杂质浓度较低， 引出电极用B表示。 N+两个区杂质浓度很高， 分别引出源极和漏极。 栅极与其它电极是绝缘的， 通常衬底与源极在管子内部连接。 S G D B 下页 上页 首页 P型衬底 N+ S G D B N+ 开启电压，用UT表示 ⑵. 工作原理 当UGS 增大到一定值时， 形成一个N型导电沟道。 N型沟道 UGS UT时 形成导电沟道 VGG 导电沟道的形成 假设UDS = 0 ，同时UGS 0 靠近二氧化硅的一侧产生耗尽层， 若增大UGS ，则耗尽层变宽。 又称之为反型层 导电沟道随UGS 增大而增宽。 下页 上页 首页 UDS对导电沟道的影响 UGS为某一个大于UT的固定值， 在漏极和源极之间加正电压， 且UDS UGS - UT 即UGD = UGS - UDS UT 则有电流ID 产生， ID 使导电沟道发生变化。 当UDS 增大到UDS =UGS - UT 即UGD = UGS - UDS = UT 时， 沟道被预夹断， ID 饱和。 P型衬底 N+ N+ S G D B VGG N型沟道 VDD UDS对导电沟道的影响 下页 上页 首页 ⑶. 特性曲线 IDO UT 2UT 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 ID/mA UDS/V O UGS/V ID/mA O 当UGS ≥ UGS(th)时。 下页 上页 截止区 转移特性曲线可近似用一下公式表示： 首页 2. N沟道耗尽型MOS场效应管 预先在二氧化硅中掺入大量的正离子， 使UGS = 0 时， 产生N型导电沟道。 当UGS 0 时，沟道变窄， 达到某一负值时被夹断， ID ≈ 0，称为夹断电压。 UGS 0 时，沟道变宽， ID 增大。 G D S B 下页 上页 首页 P型衬底 N+ N+ S G D B N型沟道 + + + + + + 动画 耗尽型： UGS = 0 时无导电沟道。 增强型： UGS = 0 时有导电沟道。 特性曲线 IDSS UP 预夹断轨迹