第1篇-2三极管(FX).pptVIP

§1.4 双极型晶体三极管特性及计算模型 一、晶体管的结构和符号 晶体管的三个工作区域 1）BJT的结构 2)直流偏置电压（NPN管） 三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 2）温度对晶体管特性的影响 3）BJT的主要参数 2.极间反向电流 3.极限参数 Ic增加时，? 要下降。当?值下降到线性放大区?值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 （3）反向击穿电压 BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种： （1）集电极最大允许电流ICM （2）集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PC= ICUCE PCM PCM ① U（BR）EBO——集电极开路时，发射极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般几伏～十几伏。 ② U（BR）CBO——发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般为几十伏～几百伏。 ③ U（BR）CEO——基极开路时，集电极与发射极之间允许的最大反向电压。 - - (BR)CEO U (BR)CBO U (BR)EBO U * 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 六、三极管电路的分析方法（直流） 小功率管 中功率管 大功率管 二、NPN三极管的输入特性和输出特性 1、输入特性 与二极管特性相似 基极 发射极 集电极 2、输出特性 iC uCE 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 输出特性与基极电流有关 直流电流放大系数 交流电流放大系数 三极管放大电路基本原理 （图解分析） 工作点 集电极电流（输入电压变化时） 基极电流（输入电压变化时） 当 三极管输出回路截止 当 三极管输出回路饱和 或 输入端电压电流关系 若 ，则 的波形如何？（输入失真） 输出端电压电流关系 直流负载线线 静态工作点 讨论：静态工作 点变化对电流 波形的影响？ （输出失真） 1）输出特性截止区： a. 截止区： IB ? 0 IC = ICEO ? 0 条件：两个结反偏 iC / mA uCE 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 截止区 ICEO iC / mA uCE 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 放大区 截止区 2）输出特性放大区 b. 放大区： 条件：发射结正偏 集电结反偏 特点： 水平、等间隔 iC / mA uCE 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 c. 饱和区： uCE ? u BE uCB = uCE ? u BE ? 0 条件：两个结正偏 特点：IC ? ? IB 饱 和 区 3）输出特性饱和区 0.3 V (硅管) UCE(SAT)= 0.1 V (锗管) 深度饱和 三极管放大工作时，工作点必须处于放大区域！ 三极管工作状态判别（硅管）： 放大区域： 发射结正偏 集电结反偏 饱和区域： 发射结正偏 集电结正偏 截至区域： 发射结反偏 集电结反偏 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 ≤ uBE ＜βiB ≥ Uon 饱和 ≥ uBE βiB ≥ Uon 放大 VCC ICEO ＜Uon 截止 uCE iC uBE 状态 判别三极管工作状态，设 放大 截至 判别三极管工作状态，设 设处于放大工作状态，计算各参数 结论：放大工作状态 判别三极管工作状态 3DK2B 3DG6B 3DG6B 饱和 放大 截至 损坏 VCC VBB Rb Rc 12V 6V 4KΩ 150KΩ + uCE — IB=40μA