第3章_双极晶体管.ppt

1、输入特性曲线 图3.5.3晶体管输入特性曲线(a)共基极连接(b) 共射极连接 2.输出特性曲线 图3.5.4晶体管输出特性曲线(a)共基极连接(b) 共射极连接 3.5.3 Ebers-Moll 模型 1、E-M方程 (3.5.1) EM模型将双极晶体管看成 正向晶体管和倒向晶体管的叠加， 正向晶体管：VBE0，VBC=0， 称为集电极短路时发射极反向饱和电流； 倒向晶体管：VBC0， VBE=0， 称为发射极短路时集电结的反向饱和电流。 (3.5.2) 正向晶体管和倒向晶体管的叠加: E-M方程 和 (3.5.1) (3.5.2)比较 IEB0，有IC=0，VBE0， 2、EM1模型 ICBO，有IE=0，VBC0， 3、等效电路 * * 2).基区复合电流 3)、发射区空穴电流密度 3、缓变基区晶体管电流增益 1)、共基极直流电流增益 发射效率: –––– 发射区内平均杂质浓度 ––––发射区平均电阻率 –––– 基区平均杂质浓度 –––– 基区平均电阻率 其中： 基区输运系数: 则有： 当 ，此时为均匀基区情况。 当η很大： 2)、共射极直流电流放大系数 3.3.3 影响电流放大系数的因素 1、提高电流放大系数的主要途径 1)减小基区宽度 基区越窄，浓度梯度越大，自建电场越大， 基区越窄，基区的复合损失越小，基区的复合损失与基区宽度Wb的平方成正比。 2)、提高发射区的杂质浓度与基区杂质浓度比NE/NB↑ 一般NES/NBS≥102，即发射区表面杂质浓度一般比基区扩散层 表面杂质浓度高两个数量级。 3)、提高基区电场因子，实际上提高基区的杂质浓度梯度 4)、提高基区“少子”寿命 “少子” 寿命τnb长，扩散长度越长，则复合得越慢， 放大系数越大。 2.发射结势垒复合 正向电流很小，发射效率有明显的减小，势垒复合电流有可能比注入到基区的电子电流还大。 体内复合的同时，也可通过基区表面复合，如果表面缺陷较多，复合加快。 基区宽变效应即基区宽度随着外加电压变化，导致电流放大系数变化的现象；亦称厄尔利效应(Early效应) 发射区掺杂过重，会产生禁带变窄、俄歇复合等附加效应，使发射区有效杂质浓度降低，发射效率下降。 5.基区宽变效应 4.表面复合 3.发射区重掺杂效应 共射极输出特性曲线上 点的切线与 轴负方向交于一点，该点电压称为Early电压， Early电压VEA 非均匀基区NPN晶体管，集电结为线性缓变结： 均匀基区NPN晶体管： 3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 3.4.1 反向截止电流 晶体管某二个电极间加反向电压，另一电极开路时流过管中的电流称为反向截止电流。 1)IEBO：集电极开路，发射极与基极间反偏，流过发射结的电流。 1、定义 3)、ICEO：基极开路，发射极和集电极间反偏，流过发射极和集电极的电流。 2)、ICBO：发射极开路，集电极和基极间反偏，流过集电结的电流。 2、反向电流的来源与大小 实际的晶体管反向电流应包括反向扩散电流，势垒产生电流和表面漏电流。 对Ge管：主要是反向扩散电流 对Si管：主要是势垒产生电流，表面电流视工艺而定 1)、ICBO 2)、IEBO 3)、ICEO 3.4.2 晶体管反向击穿电压 PN结的反向偏压增大到某一值VB时，反向电流突然上升的现象称为PN结击穿，VB为击穿电压。 晶体管某一极开路，另二极之间所能承受的最大反向电压即为晶体管反向击穿电压 。 1、BVEBO 定义：集电极开路，发射极一基极间所能承受的最大反向电压，即发射结的反向击穿电压。 实际器件的测试中，规定为某一反向电流下所对应的击穿电压大小。发射结二边掺杂浓度较高，且为单边结，一般可近似为单边突变结。 高阻边的杂质浓度愈低，击穿电压越高： NB↓ ， BVEBO↑ 2、BVCBO BVCBO为发射极开路，集电极－基极间所能承受的最大反向电压，即集电结的反向击穿电压。 大小：Si平面管：NB NC NC↓ BVCBO↑ Ge合金管：NB NC NB↓ BVCBO↑ 3、BVCEO BVCEO为基极开路（IB=0），集电极一发射极间所能承受的最大反向电压。 集电结反偏，发射结弱正偏，发射结有注入，但很小。 4.基区穿通 3.4.3 基极电阻 1、基极电阻的产生 晶体管横向尺寸比纵向尺寸大得多，基极电流