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第3章、集成电路器件模型
* MOSFET三级模型 又称MOS3模型，MOS3模型是一个半经验模型，适用于短沟道器件。 精确描述各种二级效应, 又节省计算时间。计算公式中考虑了 漏源电源引起的表面势垒降低而使阈值电 压下降的静电反馈效应. 短沟道效应和窄沟道效应对阈值电压的影响. 载流子极限漂移速度引起的沟道电流饱和效应 表面电场对载流子迁移率的影响. 沿沟道方向(Y方向)的阈值电压半经验公式: * MOSFET三级模型—— 半经验短沟道模型(Level=3) * 半经验短沟道模型(Level=3)(续) 静电反馈系数? ETA是模拟静电反馈效应的经验模型参数. 载流子?s随VGS而变化 THETA称之为迁移率调制系数, 是模型参数. 沟道长度调制减小量?L的 半经验公式为: k称之为饱和电场系数, 模型参数为KAPPA. 与MOS2模型相比， MOS3模型引入三个新的模型参数为:ETA, THETA, KAPPA。除此之外, MESFET三级模型中的阈值电压, 饱和电压, 沟道调制效应和漏源电流表达式等都是半经验表达式. * MOSFET49级模型(Level=49, BSIM3V3—— Berkeley short-channel IGFET model ) 1995年10月31日由加州柏克莱分校推出，基于物理的深亚微米MOSFET模型，可用于模拟和数字电路模拟。 (1) 阈值电压下降, (2) 非均匀掺杂效应, (3) 垂直电场引起的迁移率下降, (4) 载流子极限漂移速度引起的 沟道电流饱和效应 (5) 沟道长度调制 (6) 漏源电源引起的表面势垒降低而使阈值电压下降的静电反馈效应. (7) 衬底电流引起的体效应 (8) 亚阈值导通效应 (9) 寄生电阻效应 * MOSFET49级模型(Level=49, BSIM3V3) 共有166(174)个参数! 67个DC 参数 13个AC 和电容参数 2个NQS模型参数 10个温度参数 11个W和L参数 4个边界参数 4个工艺参数 8个噪声模型参数 47二极管, 耗尽层电容和电阻参数 8个平滑函数参数(在3.0版本中) * 飞利浦MOSFET模型(Level=50) 共有72个模型参数. 最适合于对模拟电路进行模拟. * 不同MOSFET模型应用场合 Level 1 简单MOSFET模型，适用于长沟道器件 Level 2 2?m 器件模拟分析 Level 3 0.9?m 器件数字分析 BSIM 1 0.8?m 器件数字分析 BSIM 2 0.3?m 器件模拟与数字分析 BSIM 3 0.5?m 器件模拟分析与0.1?m 器件数字分析 Level=6 亚微米离子注入器件 Level=50 小尺寸器件模拟电路分析 Level=11 SOI（绝缘层上硅）器件 对电路设计者来说, 采用什么模型参数在很大程度上还取决于能从相应的工艺制造单位得到何种模型参数. * 例 .MODEL CMOSN NMOS ( LEVEL= 49 +VERSION= 3.1 TNOM= 27 TOX= 7.6E-9 +XJ= 1E-7 NCH= 2.3579E17 VTH0= 0.5085347 +K1= 0.5435268 K2= 0.0166934 K3= 2.745303E-3 +K3B= 0.6056312 W0= 1E-7 NLX= 2.869371E-7 +DVT0W= 0 DVT1W= 0 DVT2W= 0 +DVT0= 1.7544494 DVT1= 0.4703288 DVT2=0.0394498 +U0= 489.0696189 UA= 5.339423E-10 UB=1.548022E-18 +UC= 5.795283E-11 VSAT= 1.191395E5 A0= 0.8842702 +AGS= 0.1613116 B0= 1.77474E-6 B1= 5E-6 +KETA= 5.806511E-3 A1= 0 A2= 1 台积电公司某一批0.35?m CMOS工艺NMOS器件的Star-HSpice参数(命名为CMOSN的NMOS模型库Spice文件) * +RDSW= 1.88264E3 PRWG= -0.105799 PRWB= -0.0152046 +WR= 1 WINT= 7.381398E-8 LINT= 1.030561E-8 +XL= -2E-8 XW= 0 DWG= -1.493222E-8 +DWB= 9.792339E-9 VOFF= -0.0951708 NFA
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