第4章-光电探测原理及器件.ppt

学习要求 4.1.1 外光电效应 在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，也称为光电发射效应。 光电发射效应多发生于金属和金属氧化物，向外发射的电子称为光电子。 基于光电发射效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。 最重要的公式是爱因斯坦光电效应方程。 外光电效应 爱因斯坦光电效应方程 式中：hv为单个光子的能量；m为电子质量； v0为电子逸出速度；A0为物体表面电子逸出功。 可知，光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的表面电子逸出功A0。 不同的物质具有不同的逸出功，即每一种物质都有一个对应的光频阈值，称为红限频率（或截止频率。 光电子发射的红限频率为 对应的波长限为 式中：c为真空中的光速， 为产生光电子发射的入射光波的截止频率， 为产生光电子发射的入射光波的截止波长。 讨论 若入射光线频率低于红限频率（截止频率），光子能量不足以使物体内的电子逸出，即使光强再大也不会产生光电子发射；反之，入射光频率高于红限频率，即使光线微弱，也会有光电子射出。 当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强成正比，即光强愈大，意味着入射光子数目越多，逸出的电子数也就越多。 4.1.2 内光电效应 当光照射在物体上，使物体的电阻率ρ发生变化，或产生光生电动势的现象称为内光电效应，它多发生于半导体内。 根据工作原理的不同，内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类。 1）光电导效应 在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，从而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。 基于这种效应的光电器件有光敏电阻。 1）光电导效应 材料的光导性能决定于禁带宽度Eg； 对于一种光电导材料，同样存在一个照射光波长限 ，只有波长小于的光照射在光电导体上，才能产生电子能级间的跃迁，从而使光电导体的电导率增加。 4.1. 3　光热效应的一般规律 光热效应指材料受光照射后，光子能量与晶格相互作用，振动加剧，温度升高，由于温度的变化而造成物质的电学特性变化。 利用光热效应的探测器有热敏电阻、热电偶、热电堆和热释电探测器等。 1）温度变化方程 热电器件在没有受到辐射作用的情况下，器件与环境温度处于平衡状态，其温度为 。当辐射功率为 的热辐射入射到器件表面时，令表面的吸收系数为 ，则器件吸收的热辐射功率为 ；其中一部分使器件的温度升高，另一部分补偿器件与环境的热交换所损失的能量。 设单位时间器件的内能增量为 ，则有 式中， 称为热容，是表明内能的增量为温度变化的函数。 热传导方程为 当时间 时，第一项衰减到可以忽略的程度，温度的变化为正弦变化的函数。可见，热敏器件吸收交变辐射能所引起的温升与吸收系数成正比。 减小热导是增高温升、提高灵敏度的好方法，但是热导与热时间常数成反比，提高温升将使器件的惯性增大，时间响应变坏。 称为器件的热时间常数。 2）温差电效应 当两种不同的配偶材料（可以是金属或半导体）两端并联熔接时，如果两个接头的温度不同，并联回路中就产生电动势，称为温差电动势。 如果将热电偶的冷端分开，并与一个电表相连接，则当光照射电偶接头时，电偶接头吸收光能，温度升高，电表就有一个相应的电流读数，其数值的大小间接反应光照的能量大小。这就是利用热电偶来探测光能的基本原理。 3）热电导效应 某些半导体材料吸收光辐射后温度升高，随着温度的升高电导率增大，即电阻下降。而有些金属材料，随着温度升高电阻升高，即电导率减小。把这些现象称为热电导效应。 半导体材料具能带结构，吸收光后引起晶格振动加剧，即温度升高，使更多的电子被激发到导带，电导率增大。 利用热电导效应的探测器有热敏电阻等。 3）热电导效应 4）热释电效应 热释电效应通过热释电材料来实现。 热释电材料是一种电介质，本身是绝缘体，它是一种结晶对称性很差的压电晶体，在常态下具有自发电极化(即固有电偶极矩)。 热电体的 决定了面电荷密度 的大小，当 发生变化时，面电荷密度 也跟着变化。 值是温度的函数，温度升高， 减小。热电体表面附近的自由电荷对面电荷的中和作用比较缓慢，在来不及中和前，热电体表面就会呈现出相应于温度变化的面电荷变化，即热释电现象。 热释电系数 若将热电体放入一个电容器的极板之间，并连接电流表，就会有电流流过电流表，称为短路热释电电流，若电容器极板面积为A，则短路热释电电流i为 式中， ，称为热释电系数。 热释电效应居里温度 当温度T升高到某一数值Tc时,热释电效应自发极化突然消失,Tc值