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第三章 代表性工艺
DI BiCMOS纵向PNP晶体管 3.4 其它工艺 高压DMOS部分 低压部分 隔离部分的实物照片 3.5 一个集成电路的例子 功率集成电路的高压部分的版图照片 器件的照片1 器件的照片2 器件的照片3 器件的照片4 器件的照片5 器件的照片6 * 反型槽 沟道终止注入 LOCOS工艺 阈值调整 多晶硅淀积 源漏注入 接触、金属化、覆盖保护层 可用器件 NMOS晶体管 PMOS晶体管 衬底PNP晶体管 多晶硅电阻 NSD和PSD电阻 电容 工艺扩展 双层金属 浅槽隔离 扩展漏区高压晶体管 3.3 模拟BiCMOS工艺 基本特征 制造工序 N型埋层、外延生长 N阱扩散和深N＋区 基区注入 反型槽 沟道终止注入 LOCOS 阈值调整 多晶硅淀积及光刻 源/漏注入 金属化及保护层 可用器件 NPN晶体管 衬底PNP晶体管 横向PNP晶体管 基区电阻 工艺扩展 介质隔离 DI BiCMOS纵向NPN晶体管 第三章 代表性工艺 3.1 标准双极工艺 基本特征 制造工序 N型埋层 外延层生长 隔离扩散 深N+扩散 基区注入 发射区扩散 接触、金属化、覆盖保护层 可用器件 NPN晶体管 可用器件 NPN晶体管 衬底PNP晶体管 横向PNP晶体管 基区电阻 发射区电阻 基区埋层电阻 电容 上下隔离 工艺扩展 双层金属 肖特基二极管 高值薄层电阻 高值薄层注入由浅的轻掺杂P型注入形成 3.2 多晶硅CMOS工艺 基本特征 采用多晶硅，实现自对准 制造工序 外延生长、N阱扩散
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