第十四结 异质结.ppt

异质pn（扩散）结 同质pn结： 内容 半导体异质结的简介 异质结的能带结构 异质结的特性 异质结的应用简介 异质结的一些特性和应用 注入特性： 高注入比； 超注入现象； 界面二维电子气； 共振隧穿效应； 超晶格结构； 异质pn结的注入特性 异质pn结电子电流与空穴电流的注入比为 以宽禁带n型 和窄禁带p型GaAs组成的pn结为例，其禁带宽度之差 ，设p区掺杂浓度为 ，n区掺杂浓度为 由上式可得 这表明即使禁带宽n区掺杂浓度较p区低近两个数量级，但注入比仍可高达 ，异质pn结的这一高注入特性是区别于同质pn结的主要特点之一，也因此得到重要应用。 (9-75) 超注入现象 超注入现象是指在异质pn结中由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽带半导体中多数载流子浓度， 应用：半导体异质结激光器 应用：二维电子气 在结平面上，电子可以自由运动；在与结平面垂直的方向上，电子被束缚在界面几个到几十个原子层的范围内； 高迁移率； 能量量子化； 应用：HEMT（高电子迁移率晶体管） GaN-AlGaN器件 高迁移率；宽禁带；高热导率和击穿电压； 大功率微波器件； 量子霍尔效应 RH=h/ie2 i为整数 半导体超晶格 半导体超晶格是指有交替生长两种半导体材料薄层组成的一维周期性结构，而其薄层厚度的周期小于电子的平均自由程的人造材料。 概念提出：1970江琦和朱照祥 实现：分子束外延 能带工程 Ga1-xAlxAl/GaAs周期性重复制的的超晶体，其特点是两种材料的禁带宽度不同，GaAs的禁带宽度Eg1为1.424eV，Ga1-xAlxAl的禁带宽度Eg2则随分组x而变。 共振隧穿的原理；负微分电阻； 特点：速度快(渡越时间~10-14s，2.5THz,) 共振隧穿二极管 共振隧穿 忽略Nc,Nv的差异 * 1.两边形成势垒； 2.电子与原子实分离； * 第十四节 半导体异质结 内容 半导体异质结的简介 异质结的能带结构 异质结的特性 异质结的应用简介 半导体异质结？ 由两种不同的半导体材料组成的结，则称为异质结。 本章主要讨论半导体异质结的能带结构、异质pn结的电流电压特性与注入特性及各种半导体量子阱结构及其电子能态，并简单介绍一些应用。 半导体异质结的发展历史 1947年，巴丁，布喇顿，肖克莱发明点接触晶体管； 1949年，肖克莱提出pn结理论； 1957年，克罗默（Kroemer）指出导电类型相反的两种半导体组成的异质pn结比同质结具有更高的注入效率； 1962年，Anderson提出异质结的理论模型； 1968年，美国贝尔实验室和前苏联的约飞研究所做成GaAs-AlxGa1-xAs异质结激光器； 70年代，液相外延、汽相外延、金属氧化物化学汽相沉积和分子束外延技术的出现，使异质结的生长技术趋于完善； 半导体异质结的分类 根据两种半导体单晶材料的导电类型，异质结又分为以下两类： 反型异质结，指有导电类型相反的两种不同的半导体单晶材料所形成的异质结 同型异质结，指有导电类型相同的两种不同的半导体单晶材料所形成的异质结。 异质结也可以分为突变型异质结（过渡区~几个原子层）和缓变形异质结（过渡区~几个扩散长度）。 内容 半导体异质结的简介 异质结的能带结构 异质结的特性 异质结的应用简介 突变型异质结的能带结构 忽略界面态影响； 如图表示两种不同的半导体材料没有形成异质结前的热平衡能带图。有下标“1”者为禁带宽度小的半导体材料的物理参数，有下标“2”者为禁带宽度大的半导体材料的物理参数。 平衡时，两块半导体有统一的费米能级 因而异质结处于热平衡状态。两块半导体材料交界面的两端形成了空间电荷区。n型半导体一边为正空间电荷区，p型半导体一边为负空间电荷区。正负空间电荷间产生电场，也称为内建电场，因为电场存在，电子在空间电荷区中各点有附加电势能， 1.能带发生了弯曲。 2.能带在交界面处不连续，有一个突变 则能带总的弯曲量就是真空电子能级的弯曲量即 显然 两种半导体的导带底在交界面的处突变 为（导带阶） 而价带顶的突变（价带阶） 而且 式(9-4)、式(9-5)和式(9-6)对所有突变异质结普遍适用。 (9-5) (9-4) (9-6) p-n-Ge-GaAs异质结的能带图 突变np异质结的能带图 突变nn异质结 对于反型异质结，两种半导体材料的交界面两边都成了耗尽层；而在同型异质结中，一般必有一边成为积累层。 突变pp