太阳能电池片生产工艺精读.ppt

技术部 电池片生产培训 工艺流程 清洗制绒 扩散 刻蚀 去磷硅 PECVD 印刷烧结 测试 清 洗 制 绒 影响绒面质量因素 化学清洗原理 安全注意事项 硅片表面处理的目的： 绒面腐蚀原理 利用酸溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有相同腐蚀速率的各向同性异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成类虫洞一样的绒面结构，就称为表面织构化。。 绒面形成原理 绒面的密度和它们的几何特征同时影响着太阳电池的陷光效率和前表面产生反射损失的最低限。尺寸一般控制在3～15微米。 影响绒面质量的关键因素 反应温度 溶液浓度 反应时间的长短 槽体密封程度 关键因素的分析 ——溶液的影响 制绒液中的HF、HNO3两者浓度比例决定着溶液的腐蚀速率和绒面成情况。 溶液温度恒时，保持HF的浓度不变，发现增加HNO3的浓度，硅片表面发暗，绒面细小，密集，但黑丝很多，表面复合加大。 相反在溶液温度恒时，保持HNO3的浓度不变增加HF的浓度时，硅片表面发亮，绒面成气泡状，整体向抛光方向发展 注意事项 对磷扩散的认识 半导体特性 什么叫扩散 扩散的目的 扩散的方式 对磷扩散的认识—半导体特性 硅太阳电池生产中常用的几种元素:硅（Si）、磷（P）、硼（B）元素的原子结构模型如下： 对磷扩散的认识—半导体特性 硅晶体内的共价键 硅晶体的特点是原子之间靠共有电子对连接在一起。硅原子的4个价电子和它相邻的4个原子组成4对共有电子对。这种共有电子对就称为“共价键”。 对磷扩散的认识—半导体特性 硼（B）是三族元素，原子的最外层有三个价电子，硼原子最外层只有三个电子参加共价键，在另一个价键上因缺少一个电子而形成一个空位，邻近价键上的价电子跑来填补这个空位，就在这个邻近价键上形成了一个新的空位，我们称这个空位叫“空穴”。 对磷扩散的认识—半导体特性 P型半导体（受主掺杂）--接受自由电子 对磷扩散的认识—半导体特性 磷（P）是五族元素，原子的最外层有五个价电子，磷原子最外层五个电子中只有四个参加共价键，另一个不在价键上，成为自由电子，失去电子的磷原子是一个带正电的正离子，正离子处于晶格位置上，不能自由运动，它不是载流子。 对磷扩散的认识—半导体特性 N型半导体（施主掺杂）--提供自由电子 对磷扩散的认识--什么叫扩散 太阳能电池的心脏是一个PN结。PN结是不能简单地用两块不同类型（p型和n型）的半导体接触在一起就能形成的。要制造一个PN结，必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区域，另一部分是N型区域。也就是在晶体内部实现P型和N型半导体的接触。 对磷扩散的认识--什么叫扩散 制造PN结，实质上就是想办法使受主杂质（P型），在半导体晶体内的一个区域中占优势，而使施主杂质（N型）在半导体内的另外一个区域中占优势，这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型和N型半导体的接触 。 对磷扩散的认识--什么叫扩散 制作太阳电池的硅片是P型的，也就是说在制造硅片时，已经掺进了一定量的硼元素，使之成为P型的硅片。如果我们把这种硅片放在一个石英容器内，同时对此石英容器内加热到一定温度，并将含磷的气体通入这个石英容器内，这时施主杂质磷可从化合物中分解出来，在容器内充满着含磷的蒸汽。 对磷扩散的认识--什么叫扩散 在硅片周围包围着许许多多的磷的分子，因此磷原子能从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散。在有磷渗透的一面就形成了N型，在没有渗透的一面是原始P型的， 这样就达到了在硅片内部形成了所要的PN结。----这就是所说的扩散。 PN结——太阳电池的心脏 扩散的目的：形成PN结 太阳电池磷扩散方法 １．三氯氧磷（POCl3）液态源扩散 ２．喷涂磷酸水溶液后链式扩散 ３．丝网印刷磷浆料后链式扩散 目前采用的是第一种方法。 扩散装置示意图 总体结构分为四大部分： 控制部分 推舟净化部 电阻加热炉部分 气源部分 扩散装置示意图 扩散炉气路系统 压缩空气 O2 N2 N2 影响扩散的因素 管内气体中杂质源的浓度 扩散温度 扩散时间 POCl3 简介 POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源 无色透明液体，具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。 比重为1.67，熔点2℃，沸点107℃，在潮湿空气中发烟。 POCl3很容易发生水解，POCl3极易挥发。升温下与水接触会反应释放出腐蚀有毒易燃气体。 POCl3 简介 POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高，得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，这对于制作具有大面积结的太阳电池是非常